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龙图腾网获悉恩智浦美国有限公司申请的专利带隙参考电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116126088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211252429.0，技术领域涉及：G05F3/26；该发明授权带隙参考电路是由T·M·A·西卡德设计研发完成，并于2022-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本带隙参考电路在说明书摘要公布了：本公开涉及带隙参考电路。一种带隙电压参考电路包括在第一电压轨与第二电压轨之间延伸的呈串联布置的多个增量基极‑发射极电压ΔVbe单元。每个ΔVbe单元包括晶体管，所述晶体管包括单个第一发射极连接和八个第二发射极连接。所述串联布置中的第二晶体管的所述单个第一发射极连接耦合到所述串联布置中的第一晶体管的所述八个第二发射极连接中的一个，并且所述第二晶体管的所述八个第二发射极连接中的一个耦合到所述串联布置中的第三晶体管的所述单个第一发射极连接，以形成从所述第一晶体管到所述第三晶体管的电路径。电阻器在所述串联布置的远端处。所述电阻器两端的输出电压包括由所述多个ΔVbe单元产生的增量基极‑发射极电压之和。

本发明授权带隙参考电路在权利要求书中公布了：1.一种带隙电压参考电路，其特征在于，包括： 在第一电压轨与第二电压轨之间延伸的呈串联布置的多个增量基极-发射极电压ΔVbe单元，其中每个ΔVbe单元包括晶体管，所述晶体管包括： 单个第一发射极连接；以及 八个第二发射极连接； 其中所述串联布置中的第二晶体管的所述单个第一发射极连接耦合到所述串联布置中的第一晶体管的所述八个第二发射极连接中的一个，并且所述第二晶体管的所述八个第二发射极连接中的一个耦合到所述串联布置中的第三晶体管的所述单个第一发射极连接，以形成从所述第一晶体管到所述第三晶体管的电路径； 其中所述多个ΔVbe单元中的ΔVbe单元被构造和布置为3×3阵列，所述单个第一发射极连接在所述阵列的中心，由所述八个第二发射极连接包围，并且其中所述单个第一发射极连接具有与所述八个第二发射极连接不同的大小或其它配置； 电阻器，所述电阻器的第一端位于所述串联布置的远端，其中所述电阻器两端的输出电压包括由所述多个ΔVbe单元产生的增量基极-发射极电压之和； 双极晶体管，所述双极晶体管连接耦合在所述第二电压轨和所述电阻器的第二端。

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