四川广义微电子股份有限公司陈建鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉四川广义微电子股份有限公司申请的专利具有低反向恢复时间的快恢复二极管及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116130358B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310059658.9，技术领域涉及：H10D8/01；该发明授权具有低反向恢复时间的快恢复二极管及其制作方法是由陈建鹏;曾静;石小林;张立明;陆雪;李丹设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有低反向恢复时间的快恢复二极管及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有低反向恢复时间的快恢复二极管及其制作方法，制作方法包括提供一快恢复二极管基体；对快恢复二极管基体的背面依次进行减薄处理和腐蚀处理，减薄厚度为40～80um，腐蚀厚度为1～5um；从快恢复二极管基体的背面进行金属金掺杂；金属金掺杂完成后对快恢复二极管基体的背面依次进行减薄和金属蒸发，形成背垫金属层。通过向基体中掺杂更过有效的金属金，使得到的快恢复二极管具有更低的反向恢复时间和优异的其他性能。
本发明授权具有低反向恢复时间的快恢复二极管及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有低反向恢复时间的快恢复二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 提供一快恢复二极管基体； 对所述快恢复二极管基体的背面依次进行减薄处理和腐蚀处理，减薄厚度为40～80μm，腐蚀厚度为1～5μm； 从所述快恢复二极管基体的背面进行金属金掺杂； 金属金掺杂完成后对所述快恢复二极管基体的背面依次进行减薄和金属蒸发，形成背垫金属层； 所述快恢复二极管基体由以下方法制备得到： 提供一衬底； 对所述衬底的正面进行氧化，得到氧化层； 对所述氧化层进行腐蚀，形成第一离子注入窗； 通过所述第一离子注入窗对所述衬底进行推阱，形成阱区和第一杂质层； 对所述氧化层进行腐蚀，形成多个第二离子注入窗； 通过多个所述第二离子注入窗对所述衬底进行推阱，形成终端结构和第二杂质层； 在所述衬底的正面淀积绝缘介质，形成绝缘层； 腐蚀绝缘层和第一杂质层，形成第三离子注入窗。
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