西安电子科技大学张艺蒙获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种分级驱动的有源钳位反激电路及分级驱动方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116260340B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310153829.4，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权一种分级驱动的有源钳位反激电路及分级驱动方法是由张艺蒙;孙世凯;郭辉;孙乐嘉;张玉明设计研发完成，并于2023-02-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种分级驱动的有源钳位反激电路及分级驱动方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种分级驱动的有源钳位反激电路，包括：有源钳位反激变换器，在副边设有并联的同步整流MOS管M1M2，在原边设有并联的原边低端MOS管M3和M5，以及并联的原边高端MOS管M4M6；分级驱动电路，根据有源钳位反激变换器的带载条件，输出各MOS管的驱动信号；有源钳位反激变换器响应于各MOS管的驱动信号，在轻载条件下原边低端MOS管M3、原边高端MOS管M4以及同步整流MOS管M1工作，与此同时其他MOS管不工作，在重载条件下所有MOS管均工作。本发明解决了有源钳位反激电路在轻载条件下同时驱动并联的多个器件所造成器件的驱动损耗增加大于导通损耗减少的问题。
本发明授权一种分级驱动的有源钳位反激电路及分级驱动方法在权利要求书中公布了：1.一种分级驱动的有源钳位反激电路，其特征在于，包括：有源钳位反激变换器和分级驱动电路；其中， 所述有源钳位反激变换器在副边设有并联的同步整流MOS管M1和同步整流MOS管M2，在原边设有并联的原边低端MOS管M3和原边低端MOS管M5，还在原边设有并联的原边高端MOS管M4和原边高端MOS管M6； 所述分级驱动电路，用于根据所述有源钳位反激变换器的带载条件，输出第一驱动信号对分别给原边低端MOS管M3和原边高端MOS管M4，输出第二驱动信号对分别给原边低端MOS管M5以及原边高端MOS管M6，输出第三驱动信号对分别给同步整流MOS管M1和同步整流MOS管M2； 所述有源钳位反激变换器，响应于所述第一驱动信号对、所述第二驱动信号对以及所述第三驱动信号对，在轻载条件下原边低端MOS管M3、原边高端MOS管M4以及同步整流MOS管M1工作，与此同时其他MOS管不工作，在重载条件下所有MOS管均工作。
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