格芯(美国)集成电路科技有限公司J·霍尔特获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116263519B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211602592.5，技术领域涉及：G02B6/12；该发明授权具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器是由J·霍尔特;卞宇生;刘奇志;E·斯特洛设计研发完成，并于2022-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器在说明书摘要公布了：本公开涉及具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器。用于光栅耦合器的结构和制造用于光栅耦合器的结构的方法。该结构包括具有中心部和边缘部的光栅耦合器。中心部和边缘部限定侧壁，并且中心部和边缘部具有第一纵轴，边缘部沿第一纵轴以间隔关系排列。每个边缘部相对于第一纵轴以一角度从侧壁突出。波导芯光学耦合到光栅耦合器。第一纵轴在第一方向上对齐，并且波导芯具有第二纵轴，第二纵轴在不同于第一方向的第二方向上对齐。
本发明授权具有倾斜侧边缘部的成角度的光栅耦合器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 光栅耦合器，其包括第一多个半导体层、第二多个半导体层、中心部和第一多个边缘部，所述中心部和所述第一多个边缘部限定第一侧壁，所述中心部和所述第一多个边缘部具有第一纵轴，所述第一多个边缘部沿所述第一纵轴以第一间隔关系排列，所述第一纵轴在第一方向上对齐，所述第一多个边缘部中的每一个相对于所述第一纵轴以第一角度从所述第一侧壁突出，所述第一多个半导体层和所述第二多个半导体层沿所述第一纵轴在层堆叠中交替，并且所述第二多个半导体层相对于所述第一多个半导体层在所述第一侧壁处凹陷，使得所述第一多个半导体层限定所述第一多个边缘部；以及 波导芯，其光学耦合到所述光栅耦合器，所述波导芯具有第二纵轴，所述第二纵轴在不同于所述第一方向的第二方向上对齐。
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