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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种低频低噪声运算放大器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116313759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211515673.1，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权一种低频低噪声运算放大器制备方法是由丁继洪;王博;刘中梦雪;白涛;张伟设计研发完成，并于2022-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低频低噪声运算放大器制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种低频低噪声运算放大器制备方法，包括在硅晶的基片表面生长一层氧化层，和利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P‑阱区域的步骤，以及N+源漏制备、N‑沟道制备、P+栅区制备、BPSG保护膜层制备、金属制备和钝化层制备下步骤。本发明通过网格线状的JFET栅结构，以增大器件栅结构面积，提高JFET跨导，同时JFET的并联结构，可以有效降低栅极漏电流，减小输入噪声电压；通过制造出N+接触区，可降低源端与金属间的欧姆接触电阻，有效的减少热电阻噪声，有效的降低器件噪声电压。

本发明授权一种低频低噪声运算放大器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低频低噪声运算放大器制备方法，包括在硅晶的基片表面生长一层氧化层，以及利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P-阱区域的步骤，其特征在于，还包括以下步骤： 1N+源漏制备，利用光刻技术，离子注入、热扩散方式在P-阱区域内形成多个N+源漏区域； 2N-沟道制备，利用光刻技术，离子注入、热扩散方式在P-阱区域内形成N-沟道区域，其中N+漏源区的结深超出N-沟道区域； 3P+栅区制备，利用光刻技术，离子注入、热扩散方式在N-沟道区域和P阱区内形成网格线状的P+栅区，每个N+源漏对应设在P+栅区划分网格内；4N+接触区制备，利用光刻技术，离子注入、热扩散方式在N-沟道区域形成与N+漏源区数量相对应的N+接触区，且每个N+接触区注入面积对应覆盖N+漏源区面积，N+接触区的离子浓度高于N+源漏区域的离子浓度； 5BPSG保护膜层制备，利用CVD化学气相淀积工艺，在氧化层表面形成BPSG保护膜层，BPSG保护膜层由二氧化硅、B离子和P离子组成，其中P31+质量比为5%，B11+质量比为2.5%，其余为二氧化硅，BPSG保护膜层厚度为7000~8000埃； 6金属制备，利用金属溅射、光刻、刻蚀工艺，将器件N+接触区互并联形成源、漏极，P+栅区自连形成栅极； 7钝化层制备，利用CVD化学气相淀积工艺，在BPSG保护膜层表面形成介质保护膜层，并将引线端头外露形成PAD点。

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