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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116314176B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310055077.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件是由张啸;李佳豪;蒋骞苑;赵德益;吕海凤;王允;郝壮壮;胡亚莉;张彩霞设计研发完成，并于2023-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件，包括：步骤S1，于N型衬底的预定区域形成P型埋层；步骤S2，于上述表面形成外延过渡层，并于外延过渡层上生长N型外延层；步骤S3，于N型外延层中形成SN层、SP层；步骤S4，于N型外延层中刻蚀形成深槽，深槽中原位填充多晶硅，深槽包括两个第一深槽和两个第二深槽；步骤S5，于上述表面淀积介质层、刻蚀接触孔以及淀积金属层。有益效果：本发明创新性的采用NPN结构，通过精确控制隔离深槽的深度保证器件的通流能力，同时降低了钳位电压，可广泛应用于各种高速数据传输端口的保护；在生长有高浓度P型埋层、衬底上获得近乎本征的高阻外延，从而保证器件的低电容特性。

本发明授权一种低电容低残压TVS器件的制备方法及TVS器件在权利要求书中公布了：1.一种低电容低残压TVS器件的制备方法，其特征在于，包括： 步骤S1，于一N型衬底的预定区域形成P型埋层； 步骤S2，于所述N型衬底、所述P型埋层的上表面形成一外延过渡层，并于所述外延过渡层的上表面生长一N型外延层；其中，于所述N型外延层的生长过程中，所述P型埋层上反至所述N型外延层中；所述外延过渡层的厚度为0.3um-2um； 步骤S3，于所述N型外延层中形成SN层、SP层，所述SN层与所述P型埋层在纵向方向上对应，然后对所述SN层和所述SP层同时进行高温退火； 步骤S4，于所述N型外延层中刻蚀形成深槽，并于所述深槽中原位填充多晶硅，所述深槽包括两个第一深槽，分别自所述N型外延层的上表面向下延伸至所述P型埋层中；两个第二深槽，分别自所述SP层的上表面贯穿所述SP层向下延伸； 步骤S5，于上述表面淀积一介质层，并刻蚀出对应所述SN层和所述SP层的接触孔，以及分别于所述接触孔中淀积金属层。

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