华为技术有限公司马尔科姆·帕特获国家专利权
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龙图腾网获悉华为技术有限公司申请的专利用于非密封环境的半导体器件的形成获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116325388B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080105885.5，技术领域涉及：H01S5/02；该发明授权用于非密封环境的半导体器件的形成是由马尔科姆·帕特;萨米尔·里哈尼;阮波;刘伟;陈欣设计研发完成，并于2020-10-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于非密封环境的半导体器件的形成在说明书摘要公布了：本文中描述了一种用于从半导体晶圆401形成光学器件600的方法700，其中，所述光学器件在光波导601的一端具有小面602、603。所述方法包括：蚀刻701所述晶圆以形成蚀刻部分402，所述蚀刻部分具有侧壁403和基部，所述蚀刻部分的所述侧壁限定所述小面；将涂层604涂覆702到所述晶圆401上。这有助于使用一种成本效益高的方法来形成半导体器件，所述半导体器件可以在非密封环境中操作，在小面和芯片的上表面上具有保形涂层。
本发明授权用于非密封环境的半导体器件的形成在权利要求书中公布了：1.一种用于从半导体晶圆401形成光学器件600的方法700，其特征在于，所述光学器件在光波导601的一端具有小面602、603，所述方法包括： 蚀刻701所述晶圆以形成蚀刻部分402，所述蚀刻部分具有侧壁403和基部，所述蚀刻部分的所述侧壁限定所述小面，所述基部在所述晶圆401中的位置比在所述小面602、603中的位置更深； 将涂层604涂覆702到所述晶圆401上；所述涂层604涂覆到所述小面602、603和所述晶圆401的上表面，所述涂层604在所述上表面与所述小面之间形成连续层； 向所述晶圆401施加应力以对其进行切割，所述切割沿着所述蚀刻部分402的所述基部进行。
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