北京航空航天大学何田获国家专利权
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龙图腾网获悉北京航空航天大学申请的专利面向高温环境的导波增强声发射波导杆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116465970B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310323357.2，技术领域涉及：G01N29/14；该发明授权面向高温环境的导波增强声发射波导杆是由何田;符记;刘振宇;刘献栋设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本面向高温环境的导波增强声发射波导杆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种面向高温环境的导波增强声发射波导杆，包括波导杆主体、声学黑洞结构和传感器耦合平台，所述声学黑洞结构为楔形，所述声学黑洞结构的横截面最大的一端为连接端且横截面最小的一端为末端，所述连接端与所述波导杆主体的一端呈端对端连接，所述声学黑洞结构用于增强声发射信号；所述传感器耦合平台与所述末端端面固定。本发明能够实现在增大末端声发射信号强度的基础上降低末端的传导温度，且结构简单。
本发明授权面向高温环境的导波增强声发射波导杆在权利要求书中公布了：1.一种面向高温环境的导波增强声发射波导杆，其特征在于，包括： 波导杆主体； 声学黑洞结构，所述声学黑洞结构为楔形，所述声学黑洞结构的横截面最大的一端为连接端且横截面最小的一端为末端，所述连接端与所述波导杆主体的一端呈端对端连接，所述声学黑洞结构用于增强声发射信号；所述声学黑洞结构具有至少一个减材曲面；所述减材曲面有四个；所述声学黑洞结构的任意横截面为方形；所述声学黑洞结构的方形横截面的边长按幂函数形式自所述连接端至所述末端方向逐渐减小；所述声学黑洞结构的方形横截面边长为： 其中，dx为所述声学黑洞结构的方形横截面边长；d0为所述声学黑洞结构的末端端面边长；ɛ为常数；m为幂指数；l2为所述声学黑洞结构自所述连接端至所述末端之间的长度；所述幂指数为：，所述常数为：； 传感器耦合平台，所述传感器耦合平台与所述末端端面固定。
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