衢州晶洲科技发展有限公司;浙江大学衢州研究院王佳丽获国家专利权
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龙图腾网获悉衢州晶洲科技发展有限公司;浙江大学衢州研究院申请的专利一种纳米碳化硅的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116573646B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310493744.0，技术领域涉及：C01B32/977；该发明授权一种纳米碳化硅的制备方法是由王佳丽;万玲;张铭;李如龙;杨启炜设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种纳米碳化硅的制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于碳化硅制备技术领域，提供了一种纳米碳化硅的制备方法。本发明的含硅碳前驱体十甲基环五硅氧烷在氢等离子体和氩等离子体的环境下，发生裂解，产生碳化硅气体；碳化硅气体经急冷，能够保证得到小尺寸的纳米碳化硅。同时，十甲基环五硅氧烷中碳元素、硅元素和氧元素的摩尔比为2：1：1，其中的氧元素将一半的碳元素转化为一氧化碳，剩余的碳元素和硅元素的摩尔比正好是1：1，只能生成碳化硅；另外，副产物一氧化碳为气态，不会污染最终的碳化硅产品；即便能生成碳单质和硅单质，但是含量极少，所以保证了最终碳化硅的纯度。实施例的数据表明：所得纳米碳化硅的纯度≥95％，尺寸为20～500nm。
本发明授权一种纳米碳化硅的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种纳米碳化硅的制备方法，其特征在于，步骤为： 以十甲基环五硅氧烷为含硅碳前驱体、氩气为起弧氛围气体，在氢等离子体和氩等离子体的环境下，采用磁旋转弧等离子体法将所述含硅碳前驱体进行裂解，经急冷，得到所述纳米碳化硅； 所述急冷的降温速率≥2000Ks； 所述磁旋转弧等离子体法的参数包括：电弧的电流为100～3000A； 所述急冷为接触式气冷，所述接触式气冷采用的淬冷气包括氩气；所述淬冷气的流量为0～6000Nm3h，且淬冷气的流量不为0；所述淬冷气与碳化硅气体逆流接触； 所述纳米碳化硅的制备方法在具有抑制结焦和在线清焦功能的煤制乙炔等离子体反应器中进行。
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