安徽格恩半导体有限公司李水清获国家专利权
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龙图腾网获悉安徽格恩半导体有限公司申请的专利一种蓝光激光器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116598891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310514271.8，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种蓝光激光器是由李水清;阚宏柱;请求不公布姓名;王星河;张会康;蔡鑫;陈婉君;刘紫涵;张江勇设计研发完成，并于2023-05-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种蓝光激光器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种蓝光激光器，该蓝光激光器包括从下到上依次层叠设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，还包括：第一应力调制层和第二应力调制层；下限制层，包括：第一下限制层和第二下限制层；下限制层从下到上设置有第一下限制层、第一应力调制层、第二下限制层；第二下限制层与下波导层之间设置有第二应力调制层；第一应力调制层和第二应力调制层共同用于释放衬底与下限制层之间的晶格失配应力和衬底与下限制层之间的热失配应力。采用本发明实施例，通过在下限制层以及下限制层与下波导层之间设置应力调制层，实现双应力调制，从而抑制衬底模式泄露、改善激光器折射率色散，提升了激光器的电激射增益。
本发明授权一种蓝光激光器在权利要求书中公布了：1.一种蓝光激光器，包括从下到上依次层叠设置的衬底、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层，其特征在于，还包括：第一应力调制层和第二应力调制层；所述下限制层，包括：第一下限制层和第二下限制层； 其中，所述下限制层从下到上设置有所述第一下限制层、所述第一应力调制层、所述第二下限制层； 所述第二下限制层与所述下波导层之间设置有第二应力调制层； 所述第一应力调制层和所述第二应力调制层共同用于释放所述衬底与所述下限制层之间的晶格失配应力和所述衬底与所述下限制层之间的热失配应力； 所述第一应力调制层为AlxInyGa1-x-yN；所述第二应力调制层为AlzGa1-zN；所述第一下限制层为AlkGa1-kN；所述第二下限制层为AlmGa1-mN；其中，0≤x≤z≤k≤m≤1，0＜y＜1。
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