三星电子株式会社朴玺韩获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利CMOS结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116825787B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310289118.X，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权CMOS结构及其制造方法是由朴玺韩;李昇映;黄寅灿设计研发完成，并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本CMOS结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开涉及CMOS结构及其制造方法，该CMOS结构包括晶片、在晶片的正面的第一半导体器件和第二半导体器件、在晶片的背面的电源轨、在晶片的背面的背面配电网络PDN网格、以及在晶片的正面在第一半导体器件和第二半导体器件之上的正面信号布线线路。第二半导体器件堆叠在第一半导体器件上，背面PDN网格联接到电源轨，电源轨联接到第一半导体器件和第二半导体器件。
本发明授权CMOS结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种CMOS结构，包括： 晶片； 在所述晶片的正面上的第一半导体器件和第二半导体器件，所述第二半导体器件堆叠在所述第一半导体器件上； 在所述晶片的背面上的电源轨，所述电源轨联接到所述第一半导体器件和所述第二半导体器件； 在所述晶片的所述背面上的背面配电网络PDN网格，所述背面配电网络网格联接到所述电源轨；以及 在所述晶片的所述正面上的正面信号布线线路，所述正面信号布线线路联接到所述第一半导体器件和所述第二半导体器件并且在所述第一半导体器件和所述第二半导体器件之上， 第一电源通路，联接到所述电源轨并且直接联接到所述第一半导体器件的上表面； 第二电源通路，联接到所述电源轨；以及 电源接触，联接到所述第二电源通路并且联接到所述第二半导体器件的上表面， 其中所述第一电源通路包括在所述第一半导体器件下面的较窄部分和在所述第一半导体器件之上的较宽部分， 其中所述第一半导体器件和所述第二半导体器件被配置为仅从所述背面配电网络网格接收电力。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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