山东大学聂鸿坤获国家专利权
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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117139865B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311040310.1，技术领域涉及：B23K26/38；该发明授权一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法是由聂鸿坤;白蒙;姚勇平;王荣堃;陈秋;梁润泽;夏金宝;张百涛;何京良;徐现刚设计研发完成，并于2023-08-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法，涉及激光制造和半导体技术领域。包括第一次扫描：设置脉冲激光的能量处于第一设定能量，使SiC晶锭内部焦点处形成第一类凹坑，并使第一类凹坑周围产生裂纹，使激光在SiC晶锭内部形成改质层；第二次扫描：设置脉冲激光的能量处于第二设定能量，使SiC晶锭内部焦点处形成第二类凹坑，同时如果焦点附近存在第一次扫描形成的裂纹，可使裂纹进一步拓展，如果焦点附近不存在第一次扫描形成的裂纹，则不会产生新的裂纹；形成均匀的改质层。本发明通过脉冲激光二次扫描以降低激光切片材料损耗、提高切片效率，避免单次激光扫描由碳化硅晶锭光学不均匀性导致部分区域无法有效形成改质层和部分区域改质层过深问题。
本发明授权一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法在权利要求书中公布了：1.一种低损耗的碳化硅晶锭激光切片方法，其特征在于，包括以下步骤： 第一次扫描：将脉冲激光光束焦点聚焦在待切片的SiC晶锭内部设定深度，设置脉冲激光的能量处于第一设定能量，使SiC晶锭内部焦点处形成第一类凹坑，并使第一类凹坑周围产生裂纹，控制SiC晶锭相对于激光光束的移动速度，使激光在SiC晶锭内部形成改质层； 第二次扫描：将脉冲激光光束焦点聚焦在待切片的SiC晶锭内部与第一次扫描的相同深度内，设置脉冲激光的能量处于第二设定能量，使SiC晶锭内部焦点处形成第二类凹坑，同时如果焦点附近存在第一次扫描形成的裂纹，可使裂纹进一步拓展，如果焦点附近不存在第一次扫描形成的裂纹，则不会产生新的裂纹；控制SiC晶锭相对于激光光束的移动速度，形成均匀的改质层； 其中，第二类凹坑的面积小于第一类凹坑。
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