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龙图腾网获悉中南大学申请的专利一种由废旧铅膏制备铅卤化物半导体薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117181567B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311159418.2，技术领域涉及：B05D7/24；该发明授权一种由废旧铅膏制备铅卤化物半导体薄膜的方法是由刘芳洋;马綮蔓;曾强;李林鸿;刘丝靓;张宗良;贾明;蒋良兴设计研发完成，并于2023-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种由废旧铅膏制备铅卤化物半导体薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种由废旧铅膏制备铅卤化物半导体薄膜的方法。该方法包括步骤：A：对基底进行彻底清洗，随后对基底进行干燥处理；B：从废旧铅酸电池中收集部分铅膏，首先使用脱硫剂对铅膏进行硫酸铅的脱硫反应，随后加入还原剂使二氧化铅转化为氧化铅，再采用有机酸浸出剂得到含二价铅离子的酸溶液；C：将含二价铅离子的酸溶液和一定量的含卤酸或含卤盐一同沉积在处理好的基底上，之后将基底放上热台进行高温退火，退火后得到铅卤化物半导体薄膜，将其放入干燥箱中干燥。该方法不仅步骤简化、可直接得到铅卤化物薄膜，降低了铅资源的过度浪费，而且制得的铅卤化物薄膜可促进光电器件的大规模应用。

本发明授权一种由废旧铅膏制备铅卤化物半导体薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种由废旧铅膏制备铅卤化物半导体薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： A：对基底进行彻底清洗，随后对基底进行干燥处理； B：从废旧铅酸电池中收集部分铅膏，首先使用脱硫剂对铅膏进行硫酸铅的脱硫反应，随后加入还原剂使二氧化铅转化为氧化铅，再采用有机酸浸出剂得到含二价铅离子的酸溶液，其中，步骤B中，所述的脱硫剂为碳酸钠、碳酸铵、乙酸钠、乙酸铵、柠檬酸钠、柠檬酸铵中的一种或多种；所述的还原剂过氧化氢、亚硫酸钠、草酸盐、抗坏血酸中的一种或多种；所述的有机酸浸出剂为草酸、柠檬酸中的一种或多种水溶液；所述的脱硫剂、还原剂和有机酸浸出剂的浓度分别为20-90%； C：将含二价铅离子的酸溶液和一定量的含卤酸或含卤盐一同沉积在处理好的基底上，之后将基底放上热台进行高温退火，退火后得到铅卤化物半导体薄膜，将其放入干燥箱中干燥，其中，步骤C中的沉积方法为旋涂、刮刀涂布，狭缝涂布中的一种或多种，加热热台的温度为50-150℃。

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