上海交通大学方浩澜获国家专利权
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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种提升氢致变色镁基薄膜循环耐久性的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117187806B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310910200.X，技术领域涉及：C23C28/00；该发明授权一种提升氢致变色镁基薄膜循环耐久性的方法是由方浩澜;张祯;陈娟;王廷炎;张轶童;刘鑫彩;陈哲;彭立明设计研发完成，并于2023-07-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升氢致变色镁基薄膜循环耐久性的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升氢致变色镁基薄膜循环耐久性的方法，所述方法包括以下步骤：采用磁控溅射共溅射的方法在基底上生长镁‑X元素复合膜层，然后采用磁控溅射法制备钯催化层，最后采用等离子体气相沉积法制备氟碳膜；所述镁‑X元素复合膜层为通过在镁基中添加X元素所形成的复合膜层。本发明中Pd具有催化效应，在吸氢和脱氢阶段，可促进氢气与氢原子之间的可逆转换，而添加复合X元素与镁形成的化合物相可抑制Pd层和镁层之间的互扩散，有利于保持Pd的催化作用，进而提高复合膜层的吸放氢循环耐久性。此方法制备的调光薄膜循环性能好，工艺简单，在氢气传感领域具有重要的应用前景。
本发明授权一种提升氢致变色镁基薄膜循环耐久性的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升氢致变色镁基薄膜循环耐久性的方法，其特征在于，包括以下步骤： 采用磁控溅射共溅射的方法在基底上生长镁-X元素复合膜层，然后采用磁控溅射法制备钯催化层，最后采用等离子体气相沉积法制备氟碳膜； 所述镁-X元素复合膜层为通过在镁基中添加X元素所形成的复合膜层； 所述X元素为钪； 所镁-X元素复合膜层中，X元素的质量百分含量为25％； 所述镁-X元素复合膜层的厚度为40nm；所述钯催化层的厚度为8nm；所述氟碳膜层的厚度为100nm。
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