云南昆物新跃光电科技有限公司陆江伟获国家专利权
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龙图腾网获悉云南昆物新跃光电科技有限公司申请的专利一种红外探测器钝化膜的应力调节方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117248198B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310987145.4，技术领域涉及：C23C16/50；该发明授权一种红外探测器钝化膜的应力调节方法是由陆江伟;袁俊;龚晓霞;宋欣波;朱琴;白兰艳;黎秉哲;闫常善设计研发完成，并于2023-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种红外探测器钝化膜的应力调节方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种III‑V族红外探测器钝化膜的应力调节方法，属于红外探测器技术领域。所述方法采用感应耦合等离子化学气相沉积技术，先沉积制备厚度为100nm～140nm的氧化硅膜层，然后用含氧源和含氮源气氛的等离子体处理制备过渡膜层，最后沉积制备厚度为200nm～260nm的氮化硅膜层。所述方法解决了III‑V族红外焦平面探测器的氧化硅和氮化硅叠层钝化膜制备过程中存在的应力问题，尤其适用于解决铟镓砷红外探测器的氧化硅和氮化硅叠层钝化膜制备过程中存在应力的问题，可调整钝化膜层的翘曲程度，提高器件的可靠性，降低芯片失效的风险。
本发明授权一种红外探测器钝化膜的应力调节方法在权利要求书中公布了：1.一种红外探测器钝化膜的应力调节方法，其特征在于：所述红外探测器为铟镓砷焦平面探测器，所述钝化膜为氧化硅和氮化硅叠层钝化膜，步骤如下： 1在感应耦合等离子化学气相沉积设备清洗后的腔室中，放入焦平面探测器所采用的衬底，在衬底上采用感应耦合等离子化学气相沉积制备得到厚度为100nm～140nm的氧化硅膜层； 2保持腔室外壁温度为40℃～60℃，将腔室本底真空抽至1×10-4Pa以下，通入工艺气体B至腔室中的压强为4Pa～6Pa且压强稳定，开启射频电源，功率180W～240W，过程中不加热，进行过渡膜层的沉积，持续沉积5min～10min，整个沉积过程中压强稳定，在氧化硅膜层上制备得到过渡膜层；所述工艺气体B为氧气和氮气； 3采用感应耦合等离子化学气相沉积，在过渡膜层上制备得到厚度为200nm～260nm的氮化硅膜层。
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