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龙图腾网获悉西南科技大学申请的专利一种高性能SiO2增透膜的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117505217B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311496535.8，技术领域涉及：B05D5/06；该发明授权一种高性能SiO2增透膜的制备方法是由熊政伟;高志鹏;李俊;魏占涛;竹文坤;刘潇如设计研发完成，并于2023-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高性能SiO2增透膜的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高性能SiO2增透膜的制备方法，包括：采用简单、高效的溶胶‑凝胶法制备溶胶A和溶胶B，对基底进行等离子体清洗，通过提拉法对两种溶胶进行多次交替的镀制，制备得到在波长1000nm～1100nm范围内具有高透过率、激光损伤阈值高、环境稳定性好的高性能多层SiO2增透膜，该高性能多层SiO2增透膜层数为8层。其中，溶胶A是由氨水催化溶胶制备，氨水催化溶胶具有很高的孔隙率，使得镀制的薄膜具有高透过率；溶胶B采用六甲基二硅胺烷改性溶胶制备，用六甲基二硅胺烷改性溶胶镀制的表层会在薄膜表面上引入大量羟基非极性基团，有效阻止环境中的水汽、有机污染物进入到薄膜孔洞之中，提高薄膜的环境稳定性、抗激光损伤能力和机械强度。

本发明授权一种高性能SiO2增透膜的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高性能SiO2增透膜的制备方法，其特征在于，包括：先将制备的溶胶A提拉镀制在基底上，形成第一层膜，记为A膜；然后将溶胶B提拉镀制在第一层膜的表面，形成第二层膜，记为B膜，重复上述提拉镀制顺序，直至形成交替的ABABABAB8层高性能SiO2增透膜； 具体包括以下步骤： 步骤一、取一定比例的正硅酸乙酯、无水乙醇、氨水，将3种溶液混合密封于反应容器中，并在一定温度条件下磁力搅拌一定时间，然后在室温环境下陈化；正硅酸乙酯、无水乙醇、氨水的体积比为1:10:0.5，搅拌温度为30℃，搅拌时间为12h，陈化时间为12h； 步骤二、将步骤一陈化的溶胶在一定温度下回流冷凝除掉氨气，制得溶胶A；回流冷凝温度为85℃，回流冷凝时间为6h； 步骤三、取一定比例的无水乙醇、氨水、去离子水、六甲基二硅胺烷、正硅酸乙酯，将5种溶液混合密封于反应容器中，并在一定温度条件下磁力搅拌一定时间，然后在室温环境下陈化；无水乙醇、氨水、去离子水、六甲基二硅胺烷、正硅酸乙酯的体积比为10:0.05:0.2:0.1:1； 步骤四、取出一定量步骤三中的陈化溶胶，加入等体积无水乙醇混合均匀，制得溶胶B； 步骤五、将基片放入乙醇丙酮混合溶液中超声清洗一定时间，吹淋烘干； 步骤六、用PCE-6型等离子清洗机对基底进行等离子体清洗； 步骤七、先使用溶胶A在基底上镀制1层A膜，再使用溶胶B镀制B膜； 步骤八、重复步骤七直至累积镀制8层，得到8层高性能SiO2增透膜。

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