南开大学吴金雄获国家专利权
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龙图腾网获悉南开大学申请的专利一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117535649B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311467491.6，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法是由吴金雄;王兵;何育彧设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法。该Bi2WO6半导体单晶纳米薄膜的CVD制备方法，包括如下步骤：以WCl6粉末和Bi2O3粉末为原料，氩气和微量氢气的混合气体为载气，在云母基底上进行化学气相沉积，沉积完毕后即得到所述层状Bi2WO6半导体单晶薄膜。该方法经济、简单、易行，所得单晶纳米片不仅厚度可控、晶体质量好，且能够调控晶体的平面生长或者便于转移的自支撑直立生长。二维钨酸铋半导体具备宽禁带、铁电、高介电常数、超薄厚度等优异特性，在微电子领域具有重要价值。
本发明授权一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种化学气相沉积制备二维宽禁带钨酸铋半导体纳米薄膜的方法，其特征在于： 以WCl6粉末和Bi2O3粉末为原料，进行化学气相沉积，沉积完毕即得，所述WCl6粉末和Bi2O3粉末质量比为0.1~1:1； 基底为云母，化学式为KMg3AlSi3010F2； 所述化学气相沉积步骤中，载气为氩气和微量的氢气混合气体； 体系压强为100-700Torr； 沉积温度为600-950℃； 沉积时间为5-40分钟； 气体流量为50~400s.c.c.m.； 所述基底位于原料Bi2O3的正上方0.1~2cm的位置。
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