泉州市三安集成电路有限公司枋明辉获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州市三安集成电路有限公司申请的专利支撑层衬底、复合基板及其制备方法和电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117792327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311754631.8，技术领域涉及：H03H9/09；该发明授权支撑层衬底、复合基板及其制备方法和电子器件是由枋明辉;林仲和;黄世维;林少萍;杨胜裕设计研发完成，并于2023-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本支撑层衬底、复合基板及其制备方法和电子器件在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种支撑层衬底、复合基板及其制备方法和电子器件，支撑层衬底具有主支撑面，所述主支撑面上任意一个取样区域均达到目标粗糙度，所述取样区域为长度小于等于400微米且宽度小于等于400微米的区域；所述目标粗糙度以经高斯滤波处理后的最大峰高表示为20纳米以下，且所述目标粗糙度以经高斯滤波处理后的算术平均高度表示为0.7纳米以下。本发明实施例提供的支撑层衬底可以实现更好的键合效果，提高键合效率，得到的复合基板具有更高的键合强度、成品率高，从而保证电子器件的品质，降低生产成本。
本发明授权支撑层衬底、复合基板及其制备方法和电子器件在权利要求书中公布了：1.一种支撑层衬底，其特征在于，具有主支撑面，所述主支撑面上任意一个取样区域均达到目标粗糙度，所述取样区域为长度小于等于400微米且宽度小于等于400微米的区域；所述目标粗糙度以经高斯滤波处理后的最大峰高表示为大于或者等于5.6纳米且小于或者等于20纳米，且所述目标粗糙度以经高斯滤波处理后的算术平均高度表示为大于或者等于0.17纳米且小于或者等于0.7纳米。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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