江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司李远田获国家专利权
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龙图腾网获悉江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司申请的专利制备石墨基碳化钽涂层的装置及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117986041B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410081108.1，技术领域涉及：C04B41/87；该发明授权制备石墨基碳化钽涂层的装置及其控制方法是由李远田;张平设计研发完成，并于2024-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本制备石墨基碳化钽涂层的装置及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明制备石墨基碳化钽涂层的装置及其控制方法，装置包括真空烧结炉和旋转系统，真空烧结炉内部空间构成反应室；旋转系统包括石墨盘、电机和连接部件，石墨盘设置在真空烧结炉的反应室内，石墨盘内侧壁上限定出N个用于容纳石墨基体的容纳空间，容纳空间均布在石墨盘内侧壁上，每个容纳空间的上边缘连接有用于固定石墨基体的夹紧部件；电机安装在真空烧结炉的炉壁外侧；电机与真空烧结炉的控制系统电连接；连接部件贯穿于真空烧结炉的侧壁，其一端固定连接在石墨盘外侧壁上，另一端固定连接在电机的输出端。本发明能够减少涂层与基体的膨胀系数，增加结合力，提高涂层致密性，解决涂层出现裂纹和孔洞的技术问题。
本发明授权制备石墨基碳化钽涂层的装置及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种制备石墨基碳化钽涂层的装置，其特征在于，包括 真空烧结炉，所述真空烧结炉内部空间构成反应室； 旋转系统，所述旋转系统包括石墨盘、电机和连接部件，所述石墨盘设置在所述反应室内，所述石墨盘内侧壁上限定出N个用于容纳石墨基体的容纳空间，所述容纳空间均布在所述石墨盘内侧壁上，容纳空间的深度d1与石墨基体高度或深度d2之间的关系：12*d2≤d1≤23*d2；每个所述容纳空间的外边缘均连接有用于固定石墨基体的夹紧部件；所述电机安装在所述真空烧结炉的炉壁外侧；所述电机与所述真空烧结炉的控制系统电连接；所述连接部件贯穿于所述真空烧结炉的侧壁，其一端固定连接在所述石墨盘外侧壁上，另一端与电机输出端固定连接。
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