买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京大学申请的专利半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118073283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410178555.9，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及设备是由吴恒;卢浩然;彭莞越;王润声;黄如设计研发完成，并于2024-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及设备，该方法包括：在衬底上形成第一半导体结构；在第一介质层上形成第一耦合金属结构，第一耦合金属结构连接第二栅金属结构和第二源漏金属；倒片并去除衬底；在第一半导体结构上形成浅槽隔离层；在浅槽隔离层上形成第二半导体结构；浅槽隔离层中形成有第二耦合金属结构和第三耦合金属结构；第二耦合金属结构连接第一栅金属结构和第四栅金属结构，第三耦合金属结构连接第二栅金属结构和第三栅金属结构；在第二介质层上形成第四耦合金属结构，第四耦合金属结构连接第四栅金属结构和第四源漏金属。通过本申请，可以提高晶体管的集成密度。

本发明授权半导体结构的制备方法、半导体结构、存储器及设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在衬底上形成第一半导体结构；所述第一半导体结构为双极型晶体管，所述第一半导体结构包括具有第一极性的第一晶体管和具有第二极性的第二晶体管，所述第一晶体管包括第一栅金属结构和第一源漏金属结构，所述第二晶体管包括第二栅金属结构和第二源漏金属结构，所述第一栅金属结构、所述第一源漏金属结构、所述第二栅金属结构和所述第二源漏金属结构上形成有第一介质层； 在所述第一介质层上形成第一耦合金属结构，所述第一耦合金属结构连接所述第二栅金属结构和所述第二源漏金属结构； 倒片并去除所述衬底； 在所述第一半导体结构上形成浅槽隔离层； 在所述浅槽隔离层上形成第二半导体结构；所述第一半导体结构和所述第二半导体结构在垂直于有源区的方向上自对准，所述第二半导体结构为双极型晶体管，所述第二半导体结构包括具有所述第一极性的第三晶体管和具有所述第二极性的第四晶体管，所述第三晶体管包括第三栅金属结构和第三源漏金属结构，所述第四晶体管包括第四栅金属结构和第四源漏金属，所述第三栅金属结构、所述第三源漏金属、所述第四栅金属结构和所述第四源漏金属上形成有第二介质层；所述浅槽隔离层中形成有第二耦合金属结构和第三耦合金属结构，所述第二耦合金属结构连接所述第一栅金属结构和所述第四栅金属结构，所述第三耦合金属结构连接所述第二栅金属结构和所述第三栅金属结构；其中，所述第三栅金属结构对应于所述第二栅金属结构，所述第四栅金属结构对应于所述第一栅金属结构； 在所述第二介质层上形成第四耦合金属结构，所述第四耦合金属结构连接所述第四栅金属结构和所述第四源漏金属。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京大学，其通讯地址为：100871 北京市海淀区颐和园路5号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。