上海大学梁洁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利互补型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及运算放大电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118116938B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410251117.0，技术领域涉及：H10D86/40；该发明授权互补型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及运算放大电路是由梁洁;孟繁钊;李意;张磊;张建华设计研发完成，并于2024-03-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本互补型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及运算放大电路在说明书摘要公布了：本发明公开一种互补型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及运算放大电路，涉及集成电路设计技术领域，该互补型金属氧化物薄膜晶体管被划分为N型区部分和P型区部分，包括基板、缓冲层、核心层和钝化层，N型区部分的核心层包括N型区底栅电极层、N型区栅绝缘层、N型区有源层、N型区源漏电极层和N型区刻蚀阻挡层；P型区部分的核心层包括P型区有源层、P型区栅绝缘层、P型区源漏电极层和P型区顶栅电极层，从而设计出了一种同时具有N型和P型的互补型金属氧化物薄膜晶体管，相较于N型或P型MO‑TFT，其场效应迁移率和跨导更高，因而能够大大提升MO‑TFT电路的性能。
本发明授权互补型金属氧化物薄膜晶体管、制备方法及运算放大电路在权利要求书中公布了：1.一种互补型金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于，所述互补型金属氧化物薄膜晶体管包括由下往上依次生长的基板、缓冲层、核心层和钝化层； 所述互补型金属氧化物薄膜晶体管被划分为N型区部分和P型区部分； 所述N型区部分的核心层包括由下往上依次生长的N型区底栅电极层、N型区栅绝缘层、N型区有源层、N型区源漏电极层和N型区刻蚀阻挡层； 所述P型区部分的核心层包括由下往上依次生长的P型区有源层、P型区栅绝缘层、P型区源漏电极层和P型区顶栅电极层； 其中，所述N型区栅绝缘层和所述P型区栅绝缘层为同一层； 所述N型区源漏电极层和所述P型区源漏电极层为同一层。
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