中山大学;郑州中南杰特超硬材料有限公司郑伟获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学;郑州中南杰特超硬材料有限公司申请的专利一种基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118198148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410300515.7，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基二极管是由郑伟;林卓耿;位星设计研发完成，并于2024-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基二极管在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于立方氮化硼c‑BN单晶材料的肖特基二极管，其制备方法包括以下步骤：将清洗后的块状c‑BN单晶四周用胶带覆盖住，只漏出待镀电极的区域，在块状c‑BN单晶一侧表面沉积Au金属电极，然后撕下胶带；在手套箱中把锂片表面氧化层刮掉，再放置到PCB板表面镀有Ag的一侧，将块状c‑BN单晶中没有镀Au的一侧紧贴在锂片上；采用金属细线将PCB板的Ag电极与块状c‑BN单晶的Au电极连接起来，固定；完成电化学掺杂后，在c‑BN晶体的锂掺杂一侧沉积Au金属电极。本发明中，在c‑BN表面引入锂原子，其能级定位于浅能级，从而有效改善了金属与c‑BN之间的界面接触质量。这种改进通过减少界面态密度，进一步降低了c‑BN单晶与金属间的接触势垒ΦB。
本发明授权一种基于立方氮化硼(c-BN)单晶材料的肖特基二极管在权利要求书中公布了：1.一种基于立方氮化硼c-BN单晶材料的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1对块状c-BN单晶进行清洗； 2将清洗后的块状c-BN单晶四周用胶带覆盖住，只漏出待镀电极的区域，用磁控溅射金属靶材的方法在块状c-BN单晶一侧表面沉积Au金属电极，然后撕下胶带； 3在手套箱中用绝缘性镊子把锂片表面氧化层刮掉，再放置到PCB板表面镀有Ag的一侧，再将块状c-BN单晶中没有镀Au的一侧紧贴在锂片上； 4采用金属细线将PCB板的Ag电极与块状c-BN单晶的Au电极连接起来，然后用绝缘夹将其固定；完成电化学掺杂后，进一步在c-BN晶体的锂掺杂一侧利用磁控溅射沉积Au金属电极，从而制备出肖特基二极管。
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