苏州大学沈雨霈获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州大学申请的专利一种窄带近红外热电子光电探测器及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118213419B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410286846.X，技术领域涉及：H10F77/40；该发明授权一种窄带近红外热电子光电探测器及其制备方法和应用是由沈雨霈;张程;李孝峰;彭鑫宇;丁一轩设计研发完成，并于2024-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种窄带近红外热电子光电探测器及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于光电子技术领域，具体涉及一种窄带近红外热电子光电探测器及其制备方法和应用。顶层金属光栅吸收近红外光，产生热电子注入到超薄硅膜层中，然后被底部电极收集形成光电流。顶层金属光栅与硅薄膜形成了肖特基接触，实现了低于硅能量带隙的近红外光探测。金属光栅厚度小，增加金属内部光电发射，为肖特基势垒上热电子发射提供更多机会，进一步提高光电探测器效率。同时通过调节金属光栅宽度可改变探测器的共振波长，实现了波长可调的近红外光电探测器。由于硅很薄，施加小偏压即可在硅薄膜中引起强电场引发雪崩倍增效应。本发明拓宽了传统硅基光电探测器工作波段，且实现了响应度峰值可调，在硅基光电子器件中具有非常大的应用前景。
本发明授权一种窄带近红外热电子光电探测器及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.窄带近红外热电子光电探测器在光通信和近红外成像中的应用，其特征在于，对窄带近红外热电子光电探测器施加2-3V的小偏压，将器件响应度进一步提高3个数量级以上；所述窄带近红外热电子光电探测器，包括依次设置的铝薄膜3，硅薄膜1和金属光栅8；所述金属光栅8的材质选自金属氮化物、金属氧化物、单一金属或多种金属合金，所述金属光栅8与硅薄膜1形成肖特基势垒结构；所述硅薄膜1为轻掺杂的N型硅薄膜，电阻率在0.1-10Ω·cm，厚度为10-60nm；所述窄带近红外热电子光电探测器在1200nm-2000nm波段响应度为6.19mAW-19.03mAW；波长1372nm处响应度为19.03mAW；所述金属光栅8的厚度为5-100nm。
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