泉州三安半导体科技有限公司杨欣欣获国家专利权
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龙图腾网获悉泉州三安半导体科技有限公司申请的专利一种发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118335869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410493915.4，技术领域涉及：H10H20/84；该发明授权一种发光二极管及发光装置是由杨欣欣;韩涛;谢昆达;周弘毅;邓有财;蔡家豪;陈铭欣;张家豪;张中英设计研发完成，并于2024-04-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光二极管及发光装置。该发光二极管通过将除导电孔之外的半导体叠层对应的区域的金属保护层，设置为具有至少一个间断区域的结构，且间断区域不含金属保护层的金属，使得金属保护层的张应力在反射层上具有应力截止区，金属保护层的张应力未作用在整个反射层的膜层上，金属保护层的张应力未完全抵消反射层的压应力，反射层在压应力的作用下，其两侧向半导体叠层一侧收缩，中间向金属保护层一侧凸出，反射层形成的上述结构，有利于提高反射率，有利于光束汇聚，有利于提高发光二极管的光效。
本发明授权一种发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于，包括： 半导体叠层，所述半导体叠层包括依次叠置的第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述半导体叠层内设置至少一个导电孔，所述导电孔贯穿所述第二半导体层、所述有源层以及部分所述第一半导体层； 反射层，所述反射层设置于所述第二半导体层远离所述有源层的一侧； 金属保护层，所述金属保护层设置于所述反射层远离所述第二半导体层的一侧； 其中，除所述导电孔之外的所述半导体叠层对应的区域，所述金属保护层具有至少一个间断区域，所述间断区域不含所述金属保护层的金属。
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