华南理工大学杨文获国家专利权
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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种低热阻氮化镓器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410673548.6，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种低热阻氮化镓器件结构是由杨文;宋传;周长见;蒋华杏;李斌设计研发完成，并于2024-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低热阻氮化镓器件结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低热阻氮化镓器件结构。所述器件结构包括隔离层、有源层和介质插槽阵列；有源层位于隔离层上表面，隔离层的宽度大于有源层，形成凸台结构；有源层上表面的两端分别连接源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间的势垒层上表面淀积栅极金属，形成栅电极；在栅电极与漏电极之间的有源层中设置有插槽阵列，插槽阵列中包括多个排成一列的插槽，插槽中填充有介质材料；本发明通过引入介质插槽阵列，使得器件在不降低器件饱和时电流输出能力的条件下，实现了近50℃器件峰值温度的降低，同时得到了温度分布高度均匀的温区，可用于解决HEMT功率电子器件由高温引起的自热效应等可靠性问题。
本发明授权一种低热阻氮化镓器件结构在权利要求书中公布了：1.一种低热阻氮化镓器件结构，其特征在于，包括隔离层1、有源层2、源电极3、漏电极4、栅电极5和介质插槽阵列6以及钝化层7； 隔离层1包括从下至上顺次层叠的衬底01、成核层02和缓冲层03； 有源层2包括从下至上顺次层叠的本征层04、插入层05和势垒层06； 有源层2位于隔离层1上表面，隔离层1的宽度大于有源层2，形成凸台结构； 有源层2上表面的两端分别连接源电极3和漏电极4；在源电极3和漏电极4之间的势垒层06上表面淀积栅极金属，形成栅电极5； 在栅电极5与漏电极4之间的有源层2中设置有插槽阵列6，插槽阵列6中包括多个排成一列的插槽，插槽阵列6中的插槽向下延伸越过势垒层06和插入层05进入本征层04，插槽中填充有介质材料；插槽阵列6中插槽的填充材料为低热阻并具有极化效应的介质材料，所述填充材料包括氮化铝或铝镓氮； 有源层2上表面除连接源电极3、漏电极4和栅电极5的位置，均覆盖有钝化层7，用于保护有源层2。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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