武汉华星光电技术有限公司熊文慧获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利半导体器件和电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118825081B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410858999.7，技术领域涉及：H10D30/67；该发明授权半导体器件和电子器件是由熊文慧;李壮;宋德伟;艾飞设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件和电子器件在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件和电子器件；该半导体器件通过在第二方向上，使沟道部的至少部分的宽度大于掺杂部的宽度，使得在栅极偏置状态下，沟道部边缘的电荷量较少甚至无电荷积累，使得沟道部的边缘无电场，从而不会出现半导体器件的边缘区域相较于中间区域提前开启的问题，从而提高显示均一性，且增加沟道部的宽度可以增加有效沟道宽度，提高半导体器件的迁移率，提高半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件和电子器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 有源层，设置于所述衬底一侧，所述有源层包括沟道部和位于所述沟道部两侧的掺杂部； 源漏极层，设置于所述衬底一侧，所述源漏极层包括源极和漏极，所述源极和所述漏极分别与位于所述沟道部两侧的所述掺杂部连接； 其中，在所述有源层所在平面上具有相互垂直的第一方向和第二方向，所述沟道部指向所述掺杂部的方向为第一方向，在所述第二方向上，所述沟道部的至少部分的宽度大于所述掺杂部的宽度； 所述有源层还包括电性调节部，所述电性调节部的至少部分设置于所述沟道部和所述掺杂部之间，所述电性调节部连接所述沟道部和所述掺杂部； 在所述第二方向上，所述电性调节部的宽度等于所述掺杂部的宽度，所述沟道部包括第一部分和第二部分，所述第二部分位于所述第一部分与所述电性调节部之间，所述第一部分的宽度大于所述掺杂部的宽度，所述第一部分的宽度大于所述第二部分的宽度，所述第二部分的宽度等于所述电性调节部的宽度，所述第一部分关于所述沟道部的中轴线对称设置。
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