武汉纺织大学王栋获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉纺织大学申请的专利提高聚吡咯电极容量的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118866565B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410887680.7，技术领域涉及：H01G11/48；该发明授权提高聚吡咯电极容量的方法是由王栋;王博;刘美亚;李沐芳设计研发完成，并于2024-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高聚吡咯电极容量的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高聚吡咯电极容量的方法。该方法包括以下步骤：S1，将聚吡咯电极作为工作电极并与铂电极、甘汞电极、电解液组成三电极系统；S2，对该三电极系统运行电化学激活程序。该方法基于聚吡咯电极材料依靠电解液离子的嵌入脱出完成储释能过程，通过负电位激活方式来提高能够嵌入聚吡咯分子链的离子数量从而提高其容量。该激活过程改变了聚吡咯分子链的结构，使其具有更多的离子掺杂位点，是一种分子链层面的改善。该方法可用于纯聚吡咯电极以及聚吡咯复合电极。
本发明授权提高聚吡咯电极容量的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高聚吡咯电极容量的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，将具有聚吡咯分子链结构的聚吡咯电极作为工作电极，与铂片作为对电极、甘汞电极作为参比电极、电解液组成三电极系统；所述聚吡咯电极为化学氧化聚合法或电化学聚合法制备所得的具有聚吡咯分子链结构的电极材料； S2，对步骤S1中的三电极系统进行负电位电化学激活处理，改变聚吡咯分子链结构，使其具有更多的离子掺杂位点；电化学激活后，聚吡咯电极在正电位范围内容量提升；所述负电位电化学激活处理不使用其他电活性复合组分；所述负电位电化学激活处理时，电压最高极限值为0V，最低极限值在-0.4V与-1.0V之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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