上海积塔半导体有限公司拉海忠获国家专利权
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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利半导体结构沉积方法、计算机程序产品及计算机装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118880282B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410912459.2，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权半导体结构沉积方法、计算机程序产品及计算机装置是由拉海忠;闫晓晖设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构沉积方法、计算机程序产品及计算机装置在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构沉积方法。本发明在执行成核工艺阶段，通过将晶圆依次传送至不同工位实现成核，每个工位内一直通入同种气体，故无需高成本高速开关阀，有效节省工艺成本；同批次晶圆成核完成后，同时执行体沉积工艺，可以消除现有技术中部分晶圆成核完成后需等待其它晶圆体沉积完成才能继续执行自身的体沉积的等待现象。本发明既可以无需采用高成本高速开关阀，又可以消除等待现象，从而可以减少工艺时间并降低成本，实现降本增效。
本发明授权半导体结构沉积方法、计算机程序产品及计算机装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构沉积方法，其特征在于，包括： 提供反应腔室，所述反应腔室至少包括相互隔离的第一工位、第二工位以及吹扫工位； 执行成核工艺，将多个晶圆依次传送至第一工位、吹扫工位、第二工位、吹扫工位，并循环预设次数，完成所述半导体结构的成核，其中，所述第一工位持续通入第一成核反应气体，所述第二工位持续通入第二成核反应气体，所述吹扫工位持续通入吹扫气体；以及 执行体沉积工艺，停止通入第一成核反应气体、第二成核反应气体以及吹扫气体，于所述反应腔室的每一工位上分别放置一完成成核后的晶圆，并分别通入体沉积反应气体、沉积反应预设工艺时间，完成所述半导体结构的体沉积。
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