东南大学刘斯扬获国家专利权
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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种宽工作栅压的氮化镓功率器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118943175B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410632114.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种宽工作栅压的氮化镓功率器件是由刘斯扬;陈子彧;李胜;马岩锋;孙伟锋;时龙兴设计研发完成，并于2024-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种宽工作栅压的氮化镓功率器件在说明书摘要公布了：本发明公开了一种宽工作栅压的氮化镓功率器件，其结构包括基底，基底自下而上依次设有衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层及钝化层，隔离层，势垒层上设有限压管区、功率管区和泄放管区。限压管区的第一漏极金属和泄放管区的第三栅极金属通过第一互连金属连接并连接输入栅压，限压管区的第一源极金属和功率管区的第二栅极金属及泄放管区的第三漏极金属通过第二互连金属连接。本发明一方面通过氮化镓HEMT的饱和特性钳制功率管区的第二栅极金属电位，提高整体器件的栅极电压摆幅，另一方面，通过耗尽型氮化镓PFET的开关特性建立功率管区的第二P型氮化镓帽层电荷泄放路径，增强整体器件的栅极稳定性。
本发明授权一种宽工作栅压的氮化镓功率器件在权利要求书中公布了：1.一种宽工作栅压的氮化镓功率器件，其特征在于，所述的器件包括：基底10，所述基底10包括衬底11，在衬底11上依次设有成核层12、缓冲层13、沟道层14和势垒层15及钝化层60，隔离层50，在势垒层15上设有限压管区20、功率管区30及泄放管区40； 所述限压管区20包括连接于势垒层15上表面的第一源极金属21、第一P型氮化镓帽层22及第一漏极金属24，所述第一P型氮化镓帽层22上表面设有第一栅极金属23； 所述功率管区30包括连接于势垒层15上表面的第二源极金属31、第二P型氮化镓帽层32及第二漏极金属34，所述第二P型氮化镓帽层32上表面设有第二栅极金属33； 所述泄放管区40包括连接于势垒层15上表面的第三源极金属45、第三P型氮化镓帽层42及第三漏极金属41，所述第三P型氮化镓帽层42上表面设有PFET栅介质层43，所述PFET栅介质层43上表面设有第三栅极金属44。
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