浙江创芯集成电路有限公司王泽楠获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利测试结构、测试结构的测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969774B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411047365.X，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权测试结构、测试结构的测试方法是由王泽楠;汪海设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本测试结构、测试结构的测试方法在说明书摘要公布了：一种测试结构、测试结构的测试方法，其中测试结构包括：衬底，所述衬底具有有源区；位于所述衬底上的测试栅极，所述测试栅极横跨所述有源区，且所述测试栅极覆盖所述有源区的部分表面；位于所述测试栅极一侧的所述有源区内的测试源区；位于所述测试栅极另一侧的所述有源区内的测试漏区；位于所述测试栅极上且分别与所述测试栅极电连接的第一栅极测试键和第二栅极测试键。通过在MOS晶体管的所述测试栅极上增设所述第一栅极测试键和所述第二栅极测试键，进而可以基于所述第一栅极测试键和所述第二栅极测试键实现对所述测试栅极的阻值的量测，无需再单独制作所述测试栅极以实现对栅极电阻值的量测，进而能够有效减少额外占用的芯片面积。
本发明授权测试结构、测试结构的测试方法在权利要求书中公布了：1.一种测试结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底具有有源区； 位于所述衬底上的测试栅极，所述测试栅极横跨所述有源区，且所述测试栅极覆盖所述有源区的部分表面； 位于所述测试栅极一侧的所述有源区内的测试源区； 位于所述测试栅极另一侧的所述有源区内的测试漏区； 位于所述测试栅极上且分别与所述测试栅极电连接的第一栅极测试键和第二栅极测试键；其中， 所述第一栅极测试键和所述第二栅极测试键均包括：若干沿垂直于所述衬底顶部表面方向依次排布的金属层，相邻所述金属层电连接，且若干层所述金属层在朝向所述衬底的投影区域相同； 每层所述金属层具有若干平行排布的防凹陷开口； 相邻所述金属层内的所述防凹陷开口相垂直。
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