中国科学院微电子研究所刘曼文获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种三维电极探测器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969907B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411186536.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种三维电极探测器及其制作方法是由刘曼文;顾金熹;李志华设计研发完成，并于2024-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维电极探测器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种三维电极探测器及其制作方法，涉及三维电极探测器技术领域。本发明提供的三维电极探测器的制作过程中并无涉及多次深槽刻蚀相关工艺，本发明提供的制作工艺简单，使得其可实现性较好。
本发明授权一种三维电极探测器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维电极探测器的制作方法，其特征在于，制作方法包括： 提供衬底结构，所述衬底结构包括依次叠加的半导体底层、中间介质埋层和半导体顶层； 对所述半导体顶层的表面进行离子注入掺杂，形成多个保护环掺杂部及位于所述保护环掺杂部中的中间掺杂部； 在所述保护环掺杂部外侧对所述半导体顶层进行刻蚀，直至裸露所述中间介质埋层而形成相互间隔的多个单体结构； 在所述单体结构和所述中间介质埋层的裸露面外侧掺杂形成初始掺杂部； 在所述单体结构处，在所述初始掺杂部背离所述半导体底层一侧且位于所述保护环掺杂部外侧形成掩膜层； 刻蚀所述初始掺杂部形成对应所述单体结构的边缘掺杂部，及刻蚀所述中间介质埋层形成对应所述单体结构的单体介质埋层，所述边缘掺杂部、所述单体介质埋层和所述单体结构组成单体电极结构，其中，所述边缘掺杂部裸露所述保护环掺杂部及所述保护环掺杂部的围绕区域，相邻所述边缘掺杂部在相邻所述单体结构之间间隔处隔离，且相邻所述单体介质埋层在相邻所述单体结构之间间隔处隔离； 去除所述掩膜层； 在所述单体电极结构背离所述半导体底层一侧形成绝缘层，所述绝缘层包括边缘镂空和中间镂空，所述边缘镂空裸露所述边缘掺杂部，且所述中间镂空裸露所述中间掺杂部； 在所述边缘镂空处形成边缘连接电极与所述边缘掺杂部接触连接，及在所述中间镂空处形成中间连接电极与所述中间掺杂部接触连接。
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