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龙图腾网获悉兰州理工大学申请的专利异质结构钠离子电池负极材料制备方法及性能预测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118993049B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410962159.5，技术领域涉及：G16C10/00；该发明授权异质结构钠离子电池负极材料制备方法及性能预测方法是由卢学峰;李玲霞;任军强;薛红涛;李俊琛;郭鑫设计研发完成，并于2024-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本异质结构钠离子电池负极材料制备方法及性能预测方法在说明书摘要公布了：本发明属于但不限于电化学储能技术领域，公开了一种BNGMoP2Ge2O2异质结构钠离子电池负极材料及其性能预测方法，包括两组成单层结构及BNGMoP2Ge2O2异质结构模型的建立；单层及异质结构特征尺寸、吸附能、电子性质、扩散动力学、开路电压和理论容量等性能变化的预测，与两组分相比，异质结构表现出良好的结构稳定性、电子导电性、更高的吸附能力、扩散速率和存储容量，同时，解决了MoP2Ge2O2单层体积膨胀和两单层扩散动力不足的问题，能够作为钠离子电池负极。这为高性能SIBs负极材料的开发提供了一种新的设计思路，将对二维类MA2Z4材料在SIBs中的应用具有理论指导意义。

本发明授权异质结构钠离子电池负极材料制备方法及性能预测方法在权利要求书中公布了：1.一种BNGMoP2Ge2O2异质结构钠离子电池负极材料的模型构建方法，其特征在于，包括： 步骤一，采用MaterialStudio导入的体相石墨烯建立本征石墨烯G单层结构模型，B、N原子分别取代不同六元环中C原子位掺杂，构建B、N共掺杂石墨烯BNG结构模型； 步骤二，基于MS软件导入的MoS2相结构通过切面获得相应的MoS2单层结构，利用原子嬗变策略建立MoP2Ge2O2单层模型； 步骤三，利用Buildlayer功能实现BNG和MoP2Ge2O2的堆垛，构建BNGMoP2Ge2O2异质结构模型； 所述步骤二中首先用P原子替换单层两侧的S原子，得到MoP2单层；在此结构两侧分别添加Si-N层构建N-Si-P-Mo-P-N-Si七个原子层的单层MoP2Si2N2模型；再通过Ge原子和O原子分别替换上述结构中的Si原子和N原子，构建MoP2Ge2O2单层模型； 步骤三中采用4×4超胞石墨烯单层和超胞MoP2Ge2O2单层构建异质结构模型。

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