天津大学陶莹获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利一种少层MXenes材料及其无氟同步刻蚀-剥离的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118993076B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411043626.0，技术领域涉及：C01B32/914；该发明授权一种少层MXenes材料及其无氟同步刻蚀-剥离的制备方法是由陶莹;李芳冰;龙昱;吴志坦;张博雅;于晋扬;杨全红设计研发完成，并于2024-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种少层MXenes材料及其无氟同步刻蚀-剥离的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种少层MXenes材料及其绿色无氟同步解理制备方法，包括以下步骤：使MAX相材料在功能复合盐中进行高温反应，实现同步刻蚀与剥离，经洗涤后得到少层MXenes材料。本发明开发了一种功能复合盐，用于制备少层MXenes材料，避免了含氟刻蚀剂的使用，在刻蚀A位原子的同时实现MXenes的解理，一步法制备少层MXenes材料，制备方法高效环保，适合工业化生产。
本发明授权一种少层MXenes材料及其无氟同步刻蚀-剥离的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种少层MXenes材料的无氟同步刻蚀-剥离的制备方法，包括以下步骤： 使MAX相材料在功能复合盐中进行高温反应，实现同步刻蚀与剥离，经洗涤后得到少层MXenes材料； 所述功能复合盐包括刻蚀剂和剥离剂； 所述刻蚀剂包括金属盐中的任意一种或多种； 所述剥离剂包括季铵盐、尿素、硫脲、N-甲基脲、二甲基脲、乙酰胺、双三氟甲烷磺酰亚胺、丙三醇、己二酸、柠檬酸、草酸、乙二胺四乙酸、碳酸氢钠、氯化铵中的任意一种或两种以上的组合； 所述金属盐包括SnCl4、GeCl4、InCl3、MnCl2、CdCl2、FeCl2、CoCl2、CuCl2、NiCl2、ZnCl2、AgCl、SnBr4、GeBr4、InBr3、MnBr2、CdBr2、FeBr、CoBr2、CuBr2、NiBr2、ZnBr2、AgBr、SnI4、GeI4、InI3、MnI2、CdI2、FeI2、CoI2、CuI2、NiI2、ZnI2、AgI中的任意一种或两种以上的组合； 所述高温反应的温度为400-800℃，时间为30min～24h。
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