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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种磁约束聚变装置内壁表面元素激光诱导击穿光谱定量分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119000648B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411244039.8，技术领域涉及：G01N21/71；该发明授权一种磁约束聚变装置内壁表面元素激光诱导击穿光谱定量分析方法是由海然;丁洪斌;白雪;刘泽铧;何中林;穆建平设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁约束聚变装置内壁表面元素激光诱导击穿光谱定量分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁约束聚变装置内壁表面元素激光诱导击穿光谱定量分析方法，属于激光光谱分析技术领域。该方法基于壁材料表面杂质层的激光诱导击穿光谱数据，根据特征光谱数据各元素谱线强度的关系，通过沉积杂质薄膜成分预分类模型预判待测杂质层的基质属性，根据基质属性选择与待测样品基质相似的光谱标样进行单标样修正光谱计算，修正特征谱线误差后进行定量分析，能够对磁约束装置壁材料腐蚀再沉积杂质、壁处理涂覆层、滞留燃料及其他杂质元素等含量进行空间大范围、高分辨率的定量化测量。本发明方法提供丰富的壁表面沉积杂质层成分结构的信息，可以为磁约束聚变装置运行燃料注入、壁处理维护、高参数等离子体控制等提供重要依据。

本发明授权一种磁约束聚变装置内壁表面元素激光诱导击穿光谱定量分析方法在权利要求书中公布了：1.一种磁约束聚变装置内壁表面元素激光诱导击穿光谱定量分析方法，其特征在于，包括以下步骤： 优化真空、强磁场环境下激光诱导击穿光谱实验参数，包括：调整入射激光的能量密度，使得激光烧蚀杂质薄膜，产生的等离子体属于化学剂量烧蚀，激光烧蚀等离子体中发光元素与杂质薄膜中元素相一致；调节光谱仪的门延迟与门宽时间，使得激光烧蚀等离子体处于局部热力学平衡状态； 建立沉积杂质薄膜成分预分类模型，所述沉积杂质薄膜成分预分类模型根据对杂质薄膜的LIBS特征谱线分析进行样品的基质属性分类，每个分类作为一个共沉积薄膜同基体子集； 在每个共沉积薄膜同基体子集中分别选取标准薄膜样品并采集各标准薄膜样品的LIBS特征光谱，基于所述LIBS特征光谱通过单标样修正模型求得特征谱线光谱修正因子数据库； 基于优化后的激光诱导击穿光谱实验参数，通过LIBS在线测量系统采集杂质沉积层的LIBS特征光谱；通过所述沉积杂质薄膜成分预分类模型判别共沉积薄膜的基质属性；根据基质属性读取所述特征谱线光谱修正因子数据库中对应的特征光谱修正系数；将在线LIBS光谱中特征谱线乘以修正系数后进行CF-LIBS计算，得到LIBS定量分析结果。

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