天津三安光电有限公司吴志伟获国家专利权
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龙图腾网获悉天津三安光电有限公司申请的专利发光二极管及发光装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119008804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410906983.9，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权发光二极管及发光装置是由吴志伟;王燕云;刘壮士;郭桓邵设计研发完成，并于2024-07-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光二极管及发光装置在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管，其包括半导体叠层、焊盘电极、第一扩展电极和第二扩展电极，焊盘电极设置在半导体叠层上，第一扩展电极和第二扩展电极均设置在半导体叠层上并连接焊盘电极，从发光二极管的上方朝向半导体叠层俯视，焊盘电极具有中线，中线穿过焊盘电极的中心点，第一扩展电极与中线平行，第二扩展电极与中线平行，第一扩展电极到中线的最短距离为第一距离，第二扩展电极到中线的最短距离为第二距离，第一距离小于第二距离，第一扩展电极的宽度大于第二扩展电极的宽度。借此设置，可以有效提升发光二极管的电流扩展能力，提升发光二极管的品质。
本发明授权发光二极管及发光装置在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括： 半导体叠层，具有相对的第一表面和第二表面； 焊盘电极，设置在所述半导体叠层的第一表面； 第一扩展电极，设置在所述半导体叠层的第一表面，并连接所述焊盘电极； 第二扩展电极，设置在所述半导体叠层的第一表面，并连接所述焊盘电极； 从所述发光二极管的上方朝向所述半导体叠层俯视，所述焊盘电极具有中线，所述中线穿过所述焊盘电极的中心点，所述第一扩展电极与所述中线平行，所述第二扩展电极与所述中线平行，所述第一扩展电极到所述中线的最短距离为第一距离，所述第二扩展电极到所述中线的最短距离为第二距离，所述第一距离小于所述第二距离，所述第一扩展电极的宽度大于所述第二扩展电极的宽度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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