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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092460B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411179226.2，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构的形成方法是由戴俭;吴永玉;陶然;汪沛;吕军军设计研发完成，并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在部分衬底表面形成硬掩膜结构，硬掩膜结构包括硬掩膜层和位于硬掩膜层上的保护层，保护层和硬掩膜层的材料不同；以硬掩膜结构为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀衬底，在衬底内形成沟槽，且在形成沟槽之后，保护层仍有保留，且未暴露出硬掩膜层；在沟槽内和保护层表面形成隔离材料层，隔离材料层顶部表面高于保护层顶部表面，且隔离材料层的材料和硬掩膜层的材料不同；平坦化隔离材料层和保护层，直到暴露出硬掩膜层，以隔离材料层形成隔离层；在平坦化工艺之后，去除硬掩膜层，利于减少所述沟槽侧壁的所述衬底暴露的概率，利于降低隔离层的线宽粗糙度，提高最终形成的器件性能，降低漏电异常概率。

本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括中心区和环绕所述中心区的边缘区； 在所述衬底上形成硬掩膜材料层和位于所述硬掩膜材料层表面的保护材料层； 在所述保护材料层表面形成光刻胶材料层； 图形化所述光刻胶材料层形成光刻胶层； 以所述光刻胶层为掩膜，刻蚀所述保护材料层和所述硬掩膜材料层，对所述保护材料层和所述硬掩膜材料层进行图形化，以图形化后的所述保护材料层形成保护层，以图形化后的所述硬掩膜材料层形成硬掩膜层，以在部分所述衬底表面形成硬掩膜结构，所述硬掩膜结构包括所述硬掩膜层和位于所述硬掩膜层上的所述保护层，所述保护层和所述硬掩膜层的材料不同； 在形成所述硬掩膜层之后，去除所述光刻胶层； 以所述硬掩膜结构为掩膜，采用第一刻蚀工艺刻蚀所述衬底，在所述衬底内形成沟槽，且在形成所述沟槽之后，所述保护层仍有保留，且未暴露出所述硬掩膜层，所述第一刻蚀工艺对所述边缘区上的所述保护层具有第一刻蚀速率，对所述中心区上的所述保护层具有第二刻蚀速率，所述第一刻蚀速率和所述第二刻蚀速率不同； 在所述沟槽内和所述保护层表面形成隔离材料层，所述隔离材料层顶部表面高于所述保护层顶部表面，且所述隔离材料层的材料和所述硬掩膜层的材料不同； 平坦化所述隔离材料层和所述保护层，直到暴露出所述硬掩膜层，以所述隔离材料层形成隔离层； 在所述平坦化工艺之后，去除所述硬掩膜层。

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