浙江创芯集成电路有限公司李广济获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119108337B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411245400.9，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权半导体结构的形成方法是由李广济设计研发完成，并于2024-09-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；在衬底上形成牺牲层，牺牲层的厚度范围为500埃至5000埃；在牺牲层上形成具有浅沟槽隔离结构图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，依次刻蚀牺牲层以及衬底，在牺牲层内以及衬底内形成浅沟槽；向浅沟槽内填充满绝缘物质；刻蚀去除牺牲层、以及部分绝缘物质至暴露出衬底表面，形成浅沟槽隔离结构。通过在衬底上形成牺牲层，并对牺牲层和衬底进行刻蚀形成浅沟槽，实现浅沟槽的高度的增加，使得空洞形成于浅沟槽顶部，后续通过刻蚀去除掉浅沟槽顶部的具有空洞的浅沟槽隔离结构，保证浅沟槽隔离结构的完整性，进而提高半导体器件良率、可靠性以及性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在衬底上形成牺牲层，所述牺牲层的厚度范围为500埃至5000埃，其中，在衬底上形成牺牲层的步骤之前，还包括：在所述衬底上形成刻蚀停止层； 在所述牺牲层上形成具有浅沟槽隔离结构图案的光刻胶层； 以所述光刻胶层为掩膜，依次刻蚀所述牺牲层、所述刻蚀停止层以及所述衬底，在所述牺牲层内、所述刻蚀停止层以及所述衬底内形成浅沟槽； 向所述浅沟槽内填充满绝缘物质； 刻蚀去除所述牺牲层、以及部分绝缘物质至暴露出所述刻蚀停止层表面，形成浅沟槽隔离结构。
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