浙江创芯集成电路有限公司张哲嘉获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利阻变式存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110595B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411232112.X，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权阻变式存储器结构及其形成方法是由张哲嘉;任堃;高大为;吴永玉设计研发完成，并于2024-09-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本阻变式存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种阻变式存储器结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成导电材料层，所述导电材料层包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述第一区用于作为第一电极层；对所述第二区进行氧化处理，形成绝缘氧化层；在所述绝缘氧化层上形成第二电极层。通过对所述导电材料层的第二区进行氧化处理，进而形成所述绝缘氧化层，通过控制氧化处理过程中工艺参数如气体比例、溅射功率和溅射时间等，能够精确的控制所述绝缘氧化层的厚度、以及绝缘氧化层中的氧空位的分布。另外所述第一电极层和所述绝缘氧化层是基于所述导电材料层形成的整体结构，两者之间的接触界面不会形成空气层，进而能够提升阻变式存储器结构的稳定性和性能。
本发明授权阻变式存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种阻变式存储器结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成导电材料层，所述导电材料层包括第一区以及位于所述第一区上的第二区，所述第一区用于作为第一电极层； 对所述第二区进行氧化处理，形成绝缘氧化层； 在所述绝缘氧化层上形成第二电极层；其中， 所述导电材料层的材料为氮化钽； 所述绝缘氧化层的材料为氮氧化钽； 所述氧化处理的工艺参数包括：溅射离子包括氧离子和氩离子；氧离子和氩离子的气体流量之比为1:4~1:1；溅射功率100瓦~300瓦；溅射时间5分钟~30分钟；靶材施加电压-400伏~-600伏；衬底施加电压200伏~400伏。
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