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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133182B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411231156.0，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法是由王玮;梁月松;陈根强;牛田林;王艳丰;林芳;张明辉;问峰;王宏兴设计研发完成，并于2024-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件技术领域，公开了一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法。所述金刚石基CMOS反相器包括金刚石衬底、单晶金刚石薄膜、氢终端区域、台面隔离区域、n型氧化物半导体层、第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极、第一栅介质层、第一栅电极、第二栅介质层和第二栅电极；第一漏电极和第二漏电极金属互连；第一栅电极和第二栅电极金属互连。本发明通过将p型氢终端金刚石和n型氧化物半导体结合制备获得金刚石基CMOS反相器，有效规避了目前金刚石难以实现n型MOS器件的技术难题，充分发挥了金刚石与n型氧化物半导体各自的优势，实现了高性能金刚石基单片集成CMOS反相器。

本发明授权一种金刚石基CMOS反相器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石基CMOS反相器，其特征在于，包括： 金刚石衬底1； 单晶金刚石薄膜2，设置于所述金刚石衬底1上； 氢终端区域3，设置于所述单晶金刚石薄膜2上，作为p型导电沟道； 台面隔离区域4，设置于所述单晶金刚石薄膜2上，且位于所述氢终端区域3周围； n型氧化物半导体层5，设置于所述台面隔离区域4上，作为n型导电沟道； 第一栅介质层10，设置于n型氧化物半导体层5上；且所述第一栅介质层10上设有第一栅电极11； 第二栅介质层12，设置于氢终端区域3上；且所述第二栅介质层12上设有第二栅电极13； 其中，所述n型氧化物半导体层5的两端分别设有第一源电极6和第一漏电极7，所述第一栅介质层10与所述第一栅电极11均位于所述第一源电极6和所述第一漏电极7之间；所述氢终端区域3的两端分别设置有第二源电极8和第二漏电极9，所述第二栅介质层12与第二栅电极13均位于所述第二源电极8和所述第二漏电极9之间；所述第一漏电极7和第二漏电极9金属互连，作为CMOS反相器的输出；所述第一栅电极11和第二栅电极13金属互连，作为CMOS反相器的输入。

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