合肥晶合集成电路股份有限公司王仲盛获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利高压半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133250B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411334930.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权高压半导体器件及其制造方法是由王仲盛;王文智;蒯照设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本高压半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高压半导体器件及其制造方法，所述高压半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底内的沟道区、漏区以及形成于所述漏区中的漏极、源区以及形成于所述源区中的源极；栅极，形成于所述半导体衬底上且位于所述沟道区上方；第一隔离区，形成于所述漏区中且位于所述漏极和所述栅极之间；栅极电极，与所述栅极连通，用于将所述栅极与外部控制电路连接；虚拟栅，一端下沉至所述第一隔离区内，另一端与所述栅极电极相连通，形成独立的MOS；功函数层，形成于所述虚拟栅表面。通过本发明提供的高压半导体器件，能够解决现有技术中高压半导体器件的源漏击穿电压和导通电阻的兼顾优化受限的问题。
本发明授权高压半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种高压半导体器件，包括： 半导体衬底1； 形成于所述半导体衬底1内的沟道区2、漏区3以及形成于所述漏区3中的漏极4、源区13以及形成于所述源区13中的源极14，所述漏区3和所述源区13为第一导电类型，所述半导体衬底1和所述沟道区2为第二导电类型； 栅极5，形成于所述半导体衬底1上且位于所述沟道区2上方； 其特征在于，还包括： 第一隔离区6，形成于所述漏区3中且位于所述漏极4和所述栅极5之间； 栅极电极7，与所述栅极5连通，用于将所述栅极5与外部控制电路连接； 虚拟栅8，一端下沉至所述第一隔离区6内，另一端与所述栅极电极7相连通，形成独立的MOS，并使所述栅极5与所述虚拟栅8连接形成闭环结构； 功函数层9，形成于所述虚拟栅8表面。
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