浙江创芯集成电路有限公司凌婉怡获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利存储器结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119156011B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411287891.3，技术领域涉及：H10B41/47；该发明授权存储器结构及其形成方法是由凌婉怡;任堃;吴永玉;高大为设计研发完成，并于2024-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种存储器结构及其形成方法，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成浮栅前驱层，所述浮栅前驱层的材料为MAX材料；对所述浮栅前驱层进行相变处理以形成初始浮栅，所述初始浮栅为MXene材料；对所述初始浮栅进行氧化处理，形成浮栅和包围所述浮栅的阻挡层。多层MXene材料之间不易发生氧化且晶格失配问题小、可靠性高，作为浮栅材料提升了存储器结构的性能，此外，在对所述初始浮栅进行氧化处理的过程中，外层的初始浮栅MXene材料被氧化处理形成金属氧化物，金属氧化物作为阻挡层防止内层浮栅的金属离子外溢，进一步优化了存储器结构的性能。
本发明授权存储器结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种存储器结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 在所述衬底上形成浮栅前驱层，所述浮栅前驱层的材料为MAX材料，所述MAX材料的分子式为Mn+1AXn，其中M代表过渡金属，A代表主族元素，X代表碳或氮元素； 对所述浮栅前驱层进行相变处理以形成初始浮栅，所述初始浮栅为MXene材料，所述MXene材料的分子式为Mn+1XnTx，其中M代表过渡金属，X代表碳或氮元素，T代表封端基团；所述封端基团包括：-F、-O和-OH； 对所述初始浮栅进行氧化处理，形成浮栅和包围所述浮栅的阻挡层。
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