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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119269392B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411371324.6，技术领域涉及：G01N21/01；该发明授权一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用是由李政昊;孟祥达;董一宁;胡程鹏;田浩设计研发完成，并于2024-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用，属于太赫兹电极技术领域。为解决现有太赫兹透明电极无法兼具在太赫兹波传播方向透过率高和导电性能好的问题，本发明提供了一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极，包括基底和镍碲化合物薄膜。本发明通过设置不同镍碲面积的靶材制备得到具有不同镍碲比例的镍碲化合物薄膜，实现了对太赫兹透明电极的电导率、透过率和厚度的调节，使其太赫兹波段较高的透过率和高电导率实现平衡，所得基于镍碲化合物的太赫兹透明电极在太赫兹波段透过率高于80％，电导率大于1000Scm，满足透明导电薄膜的合格标准。本发明制备方法要求低，适用于太赫兹透明电极的实用批量化生产。

本发明授权一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种基于镍碲化合物的太赫兹透明电极，其特征在于，包括基底和镍碲化合物薄膜，所述镍碲化合物薄膜中镍和碲的原子数量比为33:67，所述基于镍碲化合物的太赫兹透明电极的制备方法为将基底固定于样品台使其位于溅射靶头正下方，将镍片和碲靶材呈若干扇形间隔设置的镍碲靶材放置于靶架卡槽内，所述镍片和碲靶材的总暴露面积之比为1~15:10；溅射腔体抽真空作为背底真空，氩气冲洗腔体并调节腔体内溅射气压，启动样品台转动装置，在镍碲靶材上施加射频电流，通过等离子体溅射在基底上生长镍碲化合物薄膜，得到基于镍碲化合物的太赫兹透明电极； 所述背底真空为2Pa，所述腔体内溅射气压为4Pa，所述射频电流为45mA，磁场强度为40mT，所述样品台转动的速度为8radmin；所述等离子体溅射时间为20~60s，所述镍碲化合物薄膜的厚度为13~17nm； 当基底为石英薄膜或硅片时，还包括将所得基于镍碲化合物的太赫兹透明电极置于氩气气氛下常压退火的处理步骤；所述常压退火为以30℃min的速率将温度升至150~300℃，保温1h后自然降温至室温。

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