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龙图腾网获悉大连理工大学申请的专利一种表面纳米化铜柱空气环境中键合的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119275178B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411389306.0，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种表面纳米化铜柱空气环境中键合的方法是由郭天浩;马浩然;谭维;马海涛;梁红伟;王云鹏;张振中设计研发完成，并于2024-10-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种表面纳米化铜柱空气环境中键合的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种表面纳米化铜柱空气环境中键合的方法，其属于电子封装领域。本方法包括以下步骤：在硅基片上沉积金属Ti、Cu；光刻显影制备阵列图形；电沉积得到铜柱阵列；阳极氧化电化学还原制备Cu纳米线阵列；有机还原剂制备、涂覆及热压键合。本发明可以制备图案化铜纳米线阵列凸点，并结合耐高温光刻胶作为导热介质无需额外填充步骤；可在低温空气环境中实现高质量铜‑铜互连，克服铜互连温度过高和对键合环境的依赖；一定高度的铜纳米线在互连时实现垂直基板方向的压缩，降低了对表面平整度的要求，无需化学机械抛光过程，同时改善了对准偏差造成的互连缺陷。本发明制备工艺简单、成本低，适用于三维封装和超细间距封装用的低温互连技术。

本发明授权一种表面纳米化铜柱空气环境中键合的方法在权利要求书中公布了：1.一种表面纳米化铜柱空气环境中键合的方法，其特征在于，包括如下步骤： 1在硅基片上先沉积一层金属Ti种子层，再沉积一层金属Cu种子层；然后将光刻胶用旋转涂布的方法涂在硅基片上，依次进行烘烤、曝光显影； 2配制制备CuOH2的纳米线溶液：将氢氧化钠加入到去离子水中进行搅拌，至氢氧化钠完全溶解； 3电沉积铜柱阵列：对步骤1中的光刻后的硅基片进行电镀铜填充，电镀完成后用去离子水清洗，氮气吹干； 4CuOH2纳米线的制备：将步骤3中得到的硅基片作为阳极，以铂片作为阴极，AgAgCl饱和氯化钾电极作为参比电极，将阴、阳极和参比电极放入步骤2获得的纳米线溶液的电解槽中，采用电化学工作站三电极体系氧化，恒电位的方法在一定范围的电压下进行阳极氧化；阳极氧化完成后关掉电源，将阳极的硅基片从纳米线溶液中取出，用去离子水冲洗后进行干燥处理，铜柱顶端形成CuOH2纳米线； 5将步骤4得到的CuOH2纳米线在空气退火，使CuOH2纳米线热分解为CuO纳米线； 6配置氢氧化钾电还原液：将氢氧化钾加入去离子水中搅拌至完全溶解； 7将CuO纳米线电还原为Cu纳米线：以步骤5得到的生长有CuO纳米线的硅基片为阴极、石墨为阳极，AgAgCl饱和氯化钾电极为参比电极，在步骤6得到的氢氧化钾电还原液中，利用电化学工作站进行恒电位极化，至电流稳定，阴极表面由黑色转变为红褐色，CuO纳米线被电还原为Cu纳米线，硅基片上得到表面为Cu纳米线的铜柱阵列凸点； 8将电还原后得到具有Cu纳米线阵列凸点的硅基片放入有机还原剂中，在低于0.1MPa的低真空环境中，使有机物在Cu纳米线上形成致密的保护膜，然后将生长有Cu纳米线阵列凸点的硅基片取出，将两个硅基片上下凸点对凸点对齐，放入键合机中，在150～300℃、0-20Mpa下进行10-30min热压烧结。

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