上海大学任开琳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海大学申请的专利一种半导体静态存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119277761B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411388542.0，技术领域涉及：H10B10/00；该发明授权一种半导体静态存储器及其制备方法是由任开琳;程小宇;张建华设计研发完成，并于2024-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体静态存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体静态存储器及其制备方法，涉及半导体领域。半导体静态存储器包括衬底以及设置在衬底上的埋入式电源轨和互补场效应晶体管；第一埋入式电源轨和第二埋入式电源轨平行设置在衬底的两端；第一互补场效应晶体管是通过将第一下拉晶体管和第一上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的；第二互补场效应晶体管是通过将第一传输晶体管和第二传输晶体管，由下至上依次堆叠得到的；第一传输晶体管和第二传输晶体管的类型均为n型；第三互补场效应晶体管是通过将第二下拉晶体管和第二上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的。本申请能够实现标准单元面积缩减，提升SRAM的集成度。
本发明授权一种半导体静态存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体静态存储器，其特征在于，所述半导体静态存储器包括：衬底以及设置在所述衬底上的埋入式电源轨和互补场效应晶体管； 所述埋入式电源轨包括第一埋入式电源轨和第二埋入式电源轨； 所述第一埋入式电源轨和所述第二埋入式电源轨平行设置在所述衬底的两端；所述互补场效应晶体管的一端与所述第一埋入式电源轨连接；所述互补场效应晶体管的另一端与所述第二埋入式电源轨连接； 所述互补场效应晶体管包括：间隔设置的第一互补场效应晶体管、第二互补场效应晶体管和第三互补场效应晶体管； 所述第一互补场效应晶体管是通过将第一下拉晶体管和第一上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的； 所述第二互补场效应晶体管是通过将第一传输晶体管和第二传输晶体管，由下至上依次堆叠得到的；所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的类型均为n型； 所述第三互补场效应晶体管是通过将第二下拉晶体管和第二上拉晶体管，由下至上依次堆叠得到的。
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