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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利3D结构的新型存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300362B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411441546.0，技术领域涉及：H10B63/10；该发明授权3D结构的新型存储器及其制备方法是由郭秋生;丁甲;张继伟;胡林辉;周华设计研发完成，并于2024-10-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本3D结构的新型存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种3D结构的新型存储器及其制备方法。本发明通过在形成栅极结构工艺后，于有源区上直接形成存储单元，减少存储单元相关工艺热预算对前道制程器件的影响，减少前层对存储单元轮廓的影响；存储单元下电极直接与有源区连接，存储单元上电极通过具有较大尺寸的引出结构引出，提高了存储单元上下电极与相应组件的连接可靠性；引出结构和无存储单元的有源区栅极结构通过相应的接触结构连接结构引出，减少介质层和光罩工艺；连续分布于所述沟槽的内壁的3D结构的所述存储单元，增加了相变有效面积。

本发明授权3D结构的新型存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种3D结构的新型存储器的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：形成一半导体基底，所述半导体基底包括衬底，所述衬底表面形成有栅极结构，相邻两所述栅极结构之间的所述衬底内定义有一有源区；形成接触层，所述接触层覆盖于所述衬底表面、并暴露出所述栅极结构；形成第一介质层，所述第一介质层覆盖于所述衬底表面，所述第一介质层内形成有沿垂直所述衬底表面方向贯穿所述第一介质层并暴露部分所述有源区的沟槽；形成3D结构的存储单元以及引出结构，所述存储单元连续分布于所述沟槽的内壁，所述存储单元包括依次层叠排布的第一电极层、存储层以及第二电极层，在所述沟槽的底部、所述第一电极层通过所述接触层与所述有源区相接触，所述引出结构覆盖所述第二电极层并填充满所述沟槽；形成第二介质层，所述第二介质层覆盖所述第一介质层、所有所述存储单元以及所有所述引出结构，所述第二介质层内形成有沿垂直所述衬底表面方向贯穿所述第二介质层并暴露部分所述引出结构的接触孔；以及形成接触结构以及金属结构，所述接触结构填充满所述接触孔、并与所述引出结构相接触，所述金属结构位于所述第二介质层表面、并与所述接触结构相接触。

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