西安电子科技大学韩超获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种碳化硅功率器件JTE终端结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119300438B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411359875.0，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅功率器件JTE终端结构及其制备方法是由韩超;毕胜锦;宋庆文;汤晓燕;袁昊;张玉明;郭永征设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅功率器件JTE终端结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种碳化硅功率器件JTE终端结构及其制备方法，碳化硅功率器件JTE终端结构的P‑JTE区呈台阶形状设置在N‑外延层内部，且左侧与P+区域的右侧表面接触。本发明通过构造一个非常规电荷梯度变化的台阶型多区JTE结构，大幅降低表面JTE浓度、使JTE电荷在内部呈现梯度变化。该结构可以在保证宽剂量注入窗口的同时有效降低器件表面峰值电场，避免表面处的额外漏电、减小器件在表面发生提前击穿的风险，提高器件的反向耐压可靠性。此外，本发明将常规注入和弹道注入结合即可实现所需JTE结构，避免了常规制造方法中多次外延、注入的繁琐步骤，降低工艺成本和周期。
本发明授权一种碳化硅功率器件JTE终端结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率器件JTE终端结构，其特征在于，包括：衬底1、N-外延层2、P-JTE区3、P+区域4、钝化层5、阳极6和阴极7； 其中，所述N-外延层2设置在所述衬底1之上，所述P+区域4设置在所述N-外延层2一侧，所述阳极6设置在所述P+区域4之上，所述钝化层5设置在所述N-外延层2之上，所述阳极6设置在所述P+区域4之上，所述P-JTE区3呈台阶形状设置在所述N-外延层2内部，且左侧与P+区域4的右侧表面接触，右侧与所述N-外延层2的上表面不接触，上表面与所述钝化层5下表面接触，所述阴极7设置在所述衬底1的反面；所述P-JTE区3的台阶数量为n，n取值区间为2~10，第1台阶JTE的深度d1的取值范围为0.4~1.5um；第2台阶到第n台阶之间相邻台阶的深度变化量Δdi的取值范围为0.1~0.6μm；第1台阶JTE的深度大于P+区域4的深度，第1台阶JTE到第n台阶JTE的底面齐平。
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