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龙图腾网获悉重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法及结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119317177B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411408185.X，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法及结构是由刘建;赵明琪;税国华;刘青;杨法明;肖添;路婉婷;张金龙;陆泽灼;陈俊吉;曹荐;谭星宇;刘广川设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法及结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法及结构，方法包括提供SOI硅衬底；依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层103、薄栅氧NMOS的P型一次埋层104、厚栅氧NMOS的P型二次埋层105；在SOI硅衬底上形成外延层106；在外延层中形成薄栅氧NMOS的P型一次阱区107以及厚栅氧NMOS的P型二次阱区108等步骤。本发明中的半导体器件可实现高性能NPNPNP与厚薄栅氧CMOS器件的各种组合，有效提升工艺整体器件特性，以满足更广泛及更高需求的应用技术领域，提升芯片电学性能。

本发明授权一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法及结构在权利要求书中公布了：1.一种在双多晶自对准双极结型晶体管工艺中集成厚薄栅氧CMOS器件的方法，其特征在于，包括以下步骤： 1提供SOI硅衬底； 2依次形成双多晶自对准双极结型晶体管的N型一次埋层103、薄栅氧NMOS的P型一次埋层104、厚栅氧NMOS的P型二次埋层105； 3在SOI硅衬底上形成外延层106； 4在外延层中形成薄栅氧NMOS的P型一次阱区107以及厚栅氧NMOS的P型二次阱区108； 5形成双多晶自对准双极结型晶体管和薄栅氧NMOS厚栅氧NMOS的全介质岛隔离，包括槽隔离氧化层109、槽隔离多晶硅110； 6进行双多晶自对准双极结型晶体管的集电极N型穿透111注入，与N型一次埋层103相连接； 7形成选择性氧化结构的场氧层112，漂洗掉多余的氮化硅，在双多晶自对准双极结型晶体管和薄栅氧NMOS厚栅氧NMOS区域中分别形成有源区和场区； 8去除掉薄栅氧NMOS厚栅氧NMOS区域中预氧层146； 9进行厚栅氧氧化层的生长，形成厚栅氧层113； 10去除掉薄栅氧NMOS的栅氧，保留双极型晶体管和厚栅氧NMOS区域的栅氧； 11进行栅氧氧化层的生长，形成薄栅氧114； 12淀积第一层多晶硅，进行栅多晶注入； 13去掉多余的多晶，形成薄栅氧NMOS的多晶硅栅区115以及厚栅氧NMOS的多晶硅栅区116； 14进行薄栅氧NMOS的源漏重掺杂以及厚栅氧NMOS的LDD注入、源漏重掺杂； 15淀积TEOS金属前第一层介质层125，去掉双极型晶体管区域的氧化层； 16淀积第二层多晶硅，进行外基区以及集电极接触注入，去掉多余的多晶，形成多晶硅集电极126、多晶硅基极127； 17淀积TEOS金属前第二层介质层128，去掉氧化层和多晶，形成双极型晶体管的基区窗口； 18P型基区133注入，与多晶扩散到硅中的P重掺杂外基区132相连接通过多晶硅基极连接形成双基区； 19通过多次淀积刻蚀形成L型的侧壁结构发射区窗口，包括侧壁氧化层129，侧壁氮化硅130； 20形成双多晶自对准双极结型晶体管的多晶硅发射极131，以及N型重掺杂发射区134； 21淀积金属，形成双多晶自对准双极结型晶体管金属结构。

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