浙江创芯集成电路有限公司董艳平获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119340204B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411413714.5，技术领域涉及：H01L21/28；该发明授权半导体结构的形成方法是由董艳平;吴永玉;许凯;高大为设计研发完成，并于2024-10-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底；采用湿氧氧化工艺对所述衬底进行第一氧化处理，在所述衬底表面形成第一氧化层，所述湿氧氧化工艺具有第一工艺温度和第一氧化速率；在所述湿氧氧化工艺之后，采用干氧氧化工艺对所述衬底进行第二氧化处理，在所述衬底表面和所述第一氧化层之间形成第二氧化层，以所述第一氧化层和所述第二氧化层为栅氧化层，所述干氧氧化工艺具有第二工艺温度和第二氧化速率，所述第二工艺温度大于所述第一工艺温度，所述第二氧化速率小于所述第一氧化速率，在利于提高栅氧化层厚度均匀性的同时，利于降低所述栅氧化层内以及所述栅氧化层和所述衬底界面处的缺陷，利于提高器件的整体性能。
本发明授权半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 采用湿氧氧化工艺对所述衬底进行第一氧化处理，在所述衬底表面形成第一氧化层，所述湿氧氧化工艺具有第一工艺温度和第一氧化速率； 在所述湿氧氧化工艺之后，采用干氧氧化工艺对所述衬底进行第二氧化处理，在所述衬底表面和所述第一氧化层之间形成第二氧化层，以所述第一氧化层和所述第二氧化层为栅氧化层，所述干氧氧化工艺具有第二工艺温度和第二氧化速率，所述第二工艺温度大于所述第一工艺温度，所述第二氧化速率小于所述第一氧化速率。
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