浙江创芯集成电路有限公司王耀庭获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江创芯集成电路有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342882B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411448289.3，技术领域涉及：H10D64/66；该发明授权半导体结构及其形成方法是由王耀庭;许凯;高大为;吴永玉设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：采用第一低压化学气相沉积工艺，在衬底表面形成第一初始栅材料层，第一初始栅材料层的材料为多晶硅；采用第二低压化学气相沉积工艺，在第一初始栅材料层表面形成第二初始栅材料层，第二初始栅材料层的材料为多晶硅，第二初始栅材料层的晶粒尺寸大于第一初始栅材料层的晶粒尺寸，栅极材料层包括第一初始栅材料层和第二初始栅材料层；采用离子注入工艺向栅极材料层内注入掺杂离子，第一初始栅材料层内具有第一掺杂浓度，第二初始栅材料层内具有第二掺杂浓度；对栅极材料层进行退火处理，以降低栅极材料层内的缺陷，且使第一掺杂浓度大于第二掺杂浓度，利于抑制多晶耗尽效应。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于部分所述衬底表面的栅极层，所述栅极层包括第一栅材料层和位于所述第一栅材料层表面的第二栅材料层，所述第一栅材料层和所述第二栅材料层的材料均为多晶硅，所述第一栅材料层的晶粒尺寸小于所述第二栅材料层的晶粒尺寸，所述第一栅材料层内具有第一掺杂浓度，所述第二栅材料层内具有第二掺杂浓度，所述第一掺杂浓度大于所述第二掺杂浓度; 所述栅极层还包括位于所述衬底表面的第三栅材料层，所述第一栅材料层位于所述第三栅材料层表面，所述第三栅材料层的材料为多晶硅，且所述第三栅材料层的晶粒尺寸小于所述第一栅材料层的晶粒尺寸，所述第三栅材料层内具有第三掺杂浓度，所述第三掺杂浓度大于所述第一掺杂浓度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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