深圳市昇维旭技术有限公司张祥获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市昇维旭技术有限公司申请的专利晶舟、批式处理装置和低压气相沉积方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-02发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411449613.3，技术领域涉及：H01L21/673；该发明授权晶舟、批式处理装置和低压气相沉积方法是由张祥设计研发完成，并于2024-10-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶舟、批式处理装置和低压气相沉积方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种晶舟、批式处理装置和低压气相沉积方法，晶舟用于在产品晶圆正面沉积产品膜层，包括相邻的第一区和第二区，所述第一区包括多个产品晶圆槽，所述第二区包括监控晶圆槽，所述第二区位于所述产品晶圆槽的承载侧；其中，所述产品晶圆槽用于承载所述产品晶圆并暴露所述产品晶圆的背面，所述产品晶圆槽之间具有第一间距；所述监控晶圆槽用于承载监控晶圆并暴露所述监控晶圆的背面，所述第一区与所述第二区之间具有第二间距，所述第一间距和所述第二间距的比例，与所述产品晶圆背面膜层和所述监控晶圆背面膜层的热辐射率的比例正相关。本申请可以提高晶舟上不同位置处的产品晶圆之间产品膜层厚度的均匀性。
本发明授权晶舟、批式处理装置和低压气相沉积方法在权利要求书中公布了：1.一种晶舟，用于在产品晶圆正面沉积产品膜层，其特征在于，包括相邻的第一区和第二区，所述第一区包括多个产品晶圆槽，所述第二区包括监控晶圆槽，所述第二区位于所述产品晶圆槽的承载侧； 其中，所述产品晶圆槽用于承载所述产品晶圆并暴露所述产品晶圆的背面，所述产品晶圆槽之间具有第一间距；所述监控晶圆槽用于承载监控晶圆并暴露所述监控晶圆的背面，所述第一区与所述第二区之间具有第二间距，所述第一间距和所述第二间距的比例，与所述产品晶圆背面膜层的热辐射率和所述监控晶圆背面膜层的热辐射率的比例正相关。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市昇维旭技术有限公司，其通讯地址为：518000 广东省深圳市龙岗区平湖街道辅城坳社区新源三巷1号B栋104；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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